恩智浦有限公司弗朗西斯科斯·皮特魯斯·韋德索文獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉恩智浦有限公司申請的專利用于MRAM陣列的磁屏蔽結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111435704B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010024087.1，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權用于MRAM陣列的磁屏蔽結構是由弗朗西斯科斯·皮特魯斯·韋德索文;安托尼斯·亨德里庫斯·尤立夫·坎菲斯設計研發完成，并于2020-01-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于MRAM陣列的磁屏蔽結構在說明書摘要公布了：提供了一種封裝半導體裝置的實施例，所述封裝半導體裝置包括：半導體管芯，所述半導體管芯具有有源側和相對的背側，所述半導體管芯包括磁阻式隨機存取存儲器MRAM單元陣列，所述MRAM單元陣列形成于所述半導體管芯的所述有源側上的MRAM區域內；以及頂蓋，所述頂蓋包括定位在所述半導體管芯的所述背側上的軟磁材料，其中所述頂蓋包括形成于所述頂蓋的第一主表面中的凹陷，所述第一主表面面對所述半導體管芯的所述背側，并且所述凹陷定位在所述MRAM單元陣列上方。
本發明授權用于MRAM陣列的磁屏蔽結構在權利要求書中公布了：1.一種封裝半導體裝置，其特征在于，包括： 半導體管芯，所述半導體管芯具有有源側和相對的背側，所述半導體管芯包括磁阻式隨機存取存儲器MRAM單元陣列，所述MRAM單元陣列形成于所述半導體管芯的所述有源側上的MRAM區域內；以及 頂蓋，所述頂蓋包括定位在所述半導體管芯的所述背側上的軟磁材料，其中 所述頂蓋包括形成于所述頂蓋的第一主表面中的凹陷， 所述第一主表面面對所述半導體管芯的所述背側，并且 所述凹陷定位在所述MRAM單元陣列上； 所述半導體管芯另外包括有源電路，所述有源電路形成于所述有源側上的電路區域內，所述有源電路側向鄰近于所述MRAM單元陣列， 所述半導體管芯的第一部分在所述電路區域中具有第一厚度； 所述半導體管芯的第二部分在所述MRAM區域中具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第二部分形成堆疊，所述堆疊被定位成豎直鄰近于所述MRAM單元陣列，并且 所述凹陷的尺寸被設置成配合在所述堆疊上并且圍繞所述堆疊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人恩智浦有限公司，其通訊地址為：荷蘭埃因霍溫高科技園區60郵編：5656AG；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號