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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115692416B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110863302.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由王楠設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中結(jié)構(gòu)包括：襯底，所述襯底上具有若干鰭部；位于襯底上的第一柵極結(jié)構(gòu)；位于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏摻雜層；位于襯底上的介質(zhì)結(jié)構(gòu)，介質(zhì)結(jié)構(gòu)高于第一柵極結(jié)構(gòu)；位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的第一開(kāi)口；位于第一開(kāi)口內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)；位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的柵極導(dǎo)電開(kāi)口；位于柵極導(dǎo)電開(kāi)口內(nèi)的柵極導(dǎo)電層，柵極導(dǎo)電層與第一柵極結(jié)構(gòu)電連接。利用所述隔離結(jié)構(gòu)作為形成的柵極導(dǎo)電開(kāi)口的自對(duì)準(zhǔn)膜層，有效提升了柵極導(dǎo)電開(kāi)口形成的精準(zhǔn)性，降低了電路短接問(wèn)題的發(fā)生，以此提升最終形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底上具有若干平行于第一方向的鰭部； 位于所述襯底上的隔離層，所述隔離層覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁，且所述隔離層的頂部表面低于所述鰭部的頂部表面； 位于所述隔離層上的第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)沿第二方向橫跨若干所述鰭部，所述第一方向與所述第二方向垂直； 位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的側(cè)墻； 位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)鰭部?jī)?nèi)的源漏摻雜層； 若干源漏導(dǎo)電層，所述源漏導(dǎo)電層連接所述第一柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的若干所述源漏摻雜層，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面高于所述源漏導(dǎo)電層的頂部表面； 位于所述隔離層上的介質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述源漏導(dǎo)電層，且所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)的頂部表面高于所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述源漏導(dǎo)電層的頂部表面； 位于所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口沿所述第一方向貫穿所述第一柵極結(jié)構(gòu)，且暴露出部分所述隔離層； 位于所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口暴露出所述源漏導(dǎo)電層的頂部表面； 位于所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料與所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料不同； 位于所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)且分別與所述隔離結(jié)構(gòu)相鄰的柵極導(dǎo)電開(kāi)口，所述柵極導(dǎo)電開(kāi)口暴露出所述第一柵極結(jié)構(gòu)部分頂部表面、以及所述隔離結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁； 位于所述柵極導(dǎo)電開(kāi)口內(nèi)的柵極導(dǎo)電層，所述柵極導(dǎo)電層與所述第一柵極結(jié)構(gòu)電連接。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。