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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114171594B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110835834.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置是由可知?jiǎng)傇O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-23向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置，具備：第1電極；與上述第1電極連接的第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層；設(shè)置在上述第1半導(dǎo)體層上的上述第1導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層；設(shè)置在上述第2半導(dǎo)體層上的第2導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體層；設(shè)置在上述第3半導(dǎo)體層上的上述第1導(dǎo)電型的第4半導(dǎo)體層；與上述第3半導(dǎo)體層以及上述第4半導(dǎo)體層連接的第2電極；從上述第4半導(dǎo)體層朝向上述第2半導(dǎo)體層延伸且與上述第3半導(dǎo)體層相鄰的柵極；沿著從上述第4半導(dǎo)體層朝向上述第2半導(dǎo)體層的方向上延伸且與上述第2半導(dǎo)體層相鄰的場(chǎng)板電極；以及設(shè)置在上述場(chǎng)板電極與上述第2半導(dǎo)體層之間且從下端到上述場(chǎng)板電極的下端的第1距離比到上述第1半導(dǎo)體層的第2距離長(zhǎng)的第1絕緣膜。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，具備： 第1電極； 第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層，與上述第1電極連接； 上述第1導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述第1半導(dǎo)體層上，雜質(zhì)濃度比上述第1半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度低； 第2導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述第2半導(dǎo)體層上； 上述第1導(dǎo)電型的第4半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述第3半導(dǎo)體層上； 第2電極，與上述第3半導(dǎo)體層以及上述第4半導(dǎo)體層連接； 柵極，從上述第4半導(dǎo)體層朝向上述第2半導(dǎo)體層延伸，與上述第3半導(dǎo)體層相鄰； 場(chǎng)板電極，沿著從上述第4半導(dǎo)體層朝向上述第2半導(dǎo)體層的方向延伸，并延伸至比上述柵極靠下方的位置，與上述第2半導(dǎo)體層相鄰；以及 第1絕緣膜，設(shè)置在上述柵極與上述第3半導(dǎo)體層之間、上述場(chǎng)板電極與上述第2半導(dǎo)體層之間、以及上述柵極與上述場(chǎng)板電極之間，從下端到上述場(chǎng)板電極的下端的第1距離比從下端到上述第1半導(dǎo)體層的第2距離長(zhǎng)， 上述第1距離比上述場(chǎng)板電極的側(cè)面與上述第1絕緣膜的側(cè)面之間的第3距離大。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。