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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會(huì)社日立高新技術(shù)申請(qǐng)的專(zhuān)利真空處理裝置和真空處理方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113851391B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202110688902.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/67；該發(fā)明授權(quán)真空處理裝置和真空處理方法是由吉田雄祐;中元茂;福地功祐;朝倉(cāng)涼次設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本真空處理裝置和真空處理方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種真空處理裝置，包括：處理單元，包括：設(shè)置在真空容器中的處理室；檢測(cè)器，使用來(lái)自晶片的光在處理晶片期間檢測(cè)晶片上的對(duì)象膜的厚度或終點(diǎn)，該檢測(cè)器通過(guò)將預(yù)先獲得的數(shù)據(jù)模式與真實(shí)數(shù)據(jù)模式進(jìn)行比較來(lái)檢測(cè)厚度或終點(diǎn)，預(yù)先獲得的數(shù)據(jù)模式指示與膜厚度相關(guān)的多個(gè)波長(zhǎng)的光強(qiáng)度并使用波長(zhǎng)作為參數(shù)，真實(shí)數(shù)據(jù)模式指示在處理期間在特定時(shí)間獲得的所述多個(gè)波長(zhǎng)的光強(qiáng)度，并且數(shù)據(jù)模式是通過(guò)將所述多個(gè)波長(zhǎng)的光強(qiáng)度的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的微分系數(shù)值除以指示所述多個(gè)波長(zhǎng)的光強(qiáng)度值的時(shí)間序列數(shù)據(jù)而獲得的。

本發(fā)明授權(quán)真空處理裝置和真空處理方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種真空處理裝置，包括： 處理單元，包括： 處理室，設(shè)置在真空容器中，并且其中形成有等離子體； 樣品臺(tái)，設(shè)置在所述處理室中形成了所述等離子體的空間的下方，并且所述樣品臺(tái)的上表面上安裝有具有處理對(duì)象膜的晶片； 光接收單元，設(shè)置在所述處理室上方，并且被配置為在使用所述等離子體處理所述晶片期間接收來(lái)自所述晶片的光；以及 檢測(cè)器，連接到所述光接收單元，并且被配置為檢測(cè)所述處理期間所述處理對(duì)象膜的厚度或所述處理的終點(diǎn)的到達(dá)，其中， 所述檢測(cè)器被配置為：通過(guò)將標(biāo)準(zhǔn)模式與真實(shí)模式進(jìn)行比較來(lái)檢測(cè)所述處理對(duì)象膜的厚度，在所述標(biāo)準(zhǔn)模式中，將預(yù)先獲得的相對(duì)于所述處理對(duì)象膜的厚度變化的、與多個(gè)波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度相關(guān)的預(yù)定值的波長(zhǎng)用作參數(shù)，所述真實(shí)模式是在所述處理期間在特定時(shí)間獲得的與所述多個(gè)波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度相關(guān)的預(yù)定值的真實(shí)模式，以及 通過(guò)將所述多個(gè)波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的微分系數(shù)值除以指示所述多個(gè)波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度值的時(shí)間序列數(shù)據(jù)，來(lái)獲得與光的強(qiáng)度相關(guān)的預(yù)定值。

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