京東方科技集團股份有限公司;京東方光科技有限公司;蘇州大學周云獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉京東方科技集團股份有限公司;京東方光科技有限公司;蘇州大學申請的專利一種超寬帶吸收器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113219568B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110572266.3，技術領域涉及：G02B5/00；該發明授權一種超寬帶吸收器及制備方法是由周云;陸平英;孟德宇;陳華鋒;張恒;武榮風;詹智誠設計研發完成，并于2021-05-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種超寬帶吸收器及制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及制備技術領域，具體而言，公開了一種超寬帶吸收器及制備方法，該超寬帶吸收器包括基底，基底上設置有第一介質層，第一介質層背離基底的一側形成凸起結構陣列，凸起結構陣列背離所述基底的一側依次設置有第一金屬層、第二介質層和第二金屬層。本發明實現可見光至紅外波段超寬帶的雙向廣角高效吸收，在400nm?4000nm波段范圍內，電磁波吸收結構上表面平均吸收效率大于92％，下表面平均吸收接近85％；角度寬容性大，在入射角為60°時，仍能保持良好的雙向吸收性能，上表面平均吸收大于92％，下表面平均吸收大于80％。該裝置結構簡單，便于大規模、批量化生產，且易與光電子器件集成，在顯示、太陽能電池、熱光伏等領域有廣泛應用。
本發明授權一種超寬帶吸收器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種超寬帶吸收器，其特征在于，包括基底，所述基底上設置有第一介質層，所述第一介質層背離所述基底的一側形成凸起結構陣列，所述凸起結構陣列背離所述基底的一側依次設置有第一金屬層、第二介質層和第二金屬層； 相鄰兩所述凸起結構陣列上的相鄰兩所述第二金屬層之間相互靠近的一面互相抵接； 所述凸起結構的形狀為半橢球體、圓錐體、圓臺體、三棱錐體或四棱錐體； 在400nm-4000nm的波段范圍內，所述超寬帶吸收器上表面平均吸收效率為92%，下表面平均吸收率為81%。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人京東方科技集團股份有限公司;京東方光科技有限公司;蘇州大學，其通訊地址為：100015 北京市朝陽區酒仙橋路10號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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