英諾賽科(珠海)科技有限公司李啓珍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英諾賽科(珠海)科技有限公司申請的專利氮化鎵半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113035712B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110335610.7，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權氮化鎵半導體器件及其制備方法是由李啓珍;黃敬源設計研發完成，并于2021-03-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本氮化鎵半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種氮化鎵半導體器件及其制備方法，氮化鎵半導體器件的制備方法包括采用非本征摻雜劑通過外部碳摻雜法在緩沖層與溝道層之間形成碳摻雜層，外部碳摻雜法的生長條件為：襯底表面溫度大于或等于900℃，生長壓力大于或等于50mbar以及ⅤⅢ比大于或等于200。氮化鎵半導體器件中碳濃度均勻且器件擊穿均勻性好。
本發明授權氮化鎵半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.氮化鎵半導體器件的制備方法，其特征在于，包括： 采用非本征摻雜劑通過外部碳摻雜法在緩沖層與溝道層之間形成碳摻雜層； 所述外部碳摻雜法的生長條件為：襯底表面溫度大于或等于900℃，生長壓力大于或等于50mbar以及ⅤⅢ比大于或等于200； 所述碳摻雜層包括碳摻雜高阻層和非故意摻雜層，所述碳摻雜高阻層的碳濃度大于所述非故意摻雜層的碳濃度； 所述非故意摻雜層位于所述緩沖層與所述碳摻雜高阻層之間,或者所述非故意摻雜層位于所述碳摻雜高阻層內； 所述非本征摻雜劑為丙烷、甲烷和乙烯中的一種或多種； 形成所述碳摻雜高阻層所采用的外部摻雜法的生長條件如下：襯底表面溫度為1000℃，生長壓力為50mbar，ⅤⅢ比為1890； 形成所述非故意摻雜層所采用的外部摻雜法的生長條件如下：襯底表面溫度為1050℃，生長壓力為200mbar，ⅤⅢ比為400； 所述碳摻雜高阻層包括碳摻雜超晶格層和碳摻雜氮化鎵層，所述碳摻雜超晶格層為碳摻雜氮化鎵超晶格層、碳摻雜鋁鎵氮超晶格層或碳摻雜氮化鋁超晶格層； 所述非故意摻雜層的碳濃度小于5E18個原子cm3，所述碳摻雜高阻層的碳濃度大于5E18個原子cm3。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英諾賽科(珠海)科技有限公司，其通訊地址為：519000 廣東省珠海市高新區金園二路39號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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