中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司李善雄獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利一種柵極側墻結構、其制造方法及DRAM獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114743868B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110028165.X，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權一種柵極側墻結構、其制造方法及DRAM是由李善雄;張月;楊濤;盧一泓;田光輝設計研發完成，并于2021-01-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種柵極側墻結構、其制造方法及DRAM在說明書摘要公布了：本發明涉及一種柵極側墻結構、其制造方法及DRAM，屬于半導體制造技術領域，用以解決現有工藝導致的柵極之間間距小，器件可靠性差的問題。柵極側墻結構包括：半導體襯底；柵極，位于半導體襯底上；柵極側墻，位于柵極的側壁上；柵極側墻的外側面為凹向柵極側壁方向的曲面。柵極側墻的制造方法，包括：提供半導體襯底；在襯底上形成柵極材料層，對柵極材料層進行刻蝕，形成晶體管的柵極；在半導體襯底和柵極上形成柵極側墻材料層；在柵極側墻材料層上形成氧化絕緣膜；對氧化絕緣膜及柵極側墻進行第一次化學機械平坦化處理；對氧化絕緣膜及柵極側墻進行第二次化學機械平坦化處理。本發明增大了柵極之間電壓，改善了器件可靠性。
本發明授權一種柵極側墻結構、其制造方法及DRAM在權利要求書中公布了：1.一種柵極側墻結構的制造方法，其特征在于，所述柵極側墻結構包括：半導體襯底； 柵極，位于所述半導體襯底上； 柵極側墻，位于所述柵極的側壁上； 其中，所述柵極側墻的外側面為凹向所述柵極側壁方向的曲面； 所述制造方法包括： 提供半導體襯底； 在所述襯底上形成柵極材料層，對柵極材料層進行刻蝕，形成晶體管的柵極； 在所述半導體襯底和柵極上形成柵極側墻材料層； 在所述柵極側墻材料層上形成氧化絕緣膜； 對氧化絕緣膜及柵極側墻進行第一次化學機械平坦化處理；所述第一次化學機械平坦化處理為對柵極側墻頂部的氧化絕緣膜及柵極頂部的柵極側墻的處理； 對氧化絕緣膜及柵極側墻進行第二次化學機械平坦化處理；所述第二次化學機械平坦化為對柵極側墻及柵極側墻外側的氧化絕緣膜的處理。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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