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龍圖騰網獲悉蘇州能訊高能半導體有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695524B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011631134.5，技術領域涉及：H10D64/00；該發明授權半導體結構及其制備方法是由韓鵬宇;裴軼;宋晰;吳星星設計研發完成，并于2020-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體結構及其制備方法，所述半導體結構包括襯底、疊層結構及場板結構，所述疊層結構遠離所述襯底的一側設有源極、漏極及位于二者之間的柵極；場板結構位于源極、柵極遠離疊層結構的一側，所述場板結構包括場板主體、導電橋柱及場板接頭，所述場板主體位于所述源極與所述漏極之間；所述場板接頭位于所述源極遠離所述疊層結構的表面；所述導電橋柱位于所述場板主體與所述場板接頭之間，所述場板接頭的數量為至少一個，所述導電橋柱的數量與所述場板接頭的數量相同，且所述導電橋柱與所述場板接頭一一對應連接。本申請在增大半導體器件的擊穿電壓，減小柵極的泄漏電流的同時，兼顧半導體器件的頻率特性及穩定性。

本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底； 疊層結構，位于所述襯底的一側，包括多層依次疊置的半導體層，所述疊層結構遠離所述襯底的一側設有源極、柵極及漏極，所述柵極位于所述源極與所述漏極之間； 場板結構，位于所述源極、所述柵極遠離所述疊層結構的一側，所述場板結構包括場板主體、導電橋柱及場板接頭，所述場板主體位于所述源極與所述漏極之間；所述場板接頭位于所述源極遠離所述疊層結構的表面；所述導電橋柱位于所述場板主體與所述場板接頭之間，所述導電橋柱的一端與所述場板主體連接且另一端與所述場板接頭連接； 其中，所述場板接頭的數量為至少一個，所述導電橋柱的數量與所述場板接頭的數量相同，且所述導電橋柱與所述場板接頭一一對應連接； 所述源極上設置有源極通孔； 所述場板接頭在所述疊層結構的表面的正投影，與所述源極通孔在所述疊層結構的表面的正投影無重疊，或重疊面積小于所述場板接頭在所述疊層結構的表面的正投影的面積的12。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州能訊高能半導體有限公司，其通訊地址為：215300 江蘇省蘇州市昆山市玉山鎮晨豐路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。