中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司張海洋獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116250077B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080103775.5，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法是由張海洋;蘇博;肖杏宇設計研發完成，并于2020-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及半導體結構的形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有介質層，所述介質層包括：第二區和位于所述第二區上的第一區，且所述第一區內具有若干相互分立的初始第一納米線，所述第二區內具有若干相互分立的初始第二納米線；刻蝕所述第一區的介質層和初始第一納米線，在所述第一區內形成第一開口，且使所述初始第一納米線形成第一納米線；刻蝕所述第一開口底部的介質層和初始第二納米線，在所述第二區內形成第二開口，且使所述初始第二納米線形成第二納米線；在所述第二開口內形成第二源漏層；在所述第二源漏層表面形成隔離層；在所述第一開口內形成第一源漏層。所述方法形成的半導體結構的性能較好。
本發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，所述基底上具有介質層，所述介質層包括：第二區和位于所述第二區上的第一區，且所述第一區內具有若干相互分立的第一納米線，所述第二區內具有若干相互分立的第二納米線； 位于所述第一區內的第一開口以及位于所述第一開口內的第一源漏層； 位于所述第二區內的第二開口以及位于所述第二開口內的第二源漏層； 位于所述第一源漏層和第二源漏層之間的隔離層； 所述第一納米線和第二納米線沿第一方向延伸；沿第一方向上，所述第一開口位于所述相鄰第一納米線之間；沿第一方向上，所述第二開口位于所述相鄰第二納米線之間；沿第二方向上，所述第一開口具有第一寬度，所述第二開口具有第二寬度，且所述第二寬度小于第一寬度；所述第二方向垂直于所述第一方向及所述第一開口及第二開口的側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號