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      臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(中國)有限公司陳正龍獲國家專利權(quán)

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      龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(中國)有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113764281B

      龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202010847981.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D30/01;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法是由陳正龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-08-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

      半導(dǎo)體器件及其形成方法在說明書摘要公布了:本公開涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。一種方法包括:在半導(dǎo)體襯底中形成具有第一導(dǎo)電類型的第一雜質(zhì)的第一類型深阱;將第二導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)摻雜到第一類型深阱中,以形成第二類型摻雜區(qū)域,其中,第一類型深阱中的第一雜質(zhì)的濃度高于第二類型摻雜區(qū)域中的第二雜質(zhì)的濃度,并且低于第二類型摻雜區(qū)域中第二雜質(zhì)的濃度的十倍;形成部分嵌入在半導(dǎo)體襯底中的場氧化物,該場氧化物從第二類型摻雜區(qū)域的第一側(cè)橫向延伸;在第一類型深阱中并且在第二類型摻雜區(qū)域的與第二類型摻雜區(qū)域的第一側(cè)相對的第二側(cè)形成第二導(dǎo)電類型的第二類型阱。

      本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法,包括: 在半導(dǎo)體襯底中形成具有第一導(dǎo)電類型的第一雜質(zhì)的第一類型深阱; 將第二導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)摻雜到所述第一類型深阱中,以形成第二類型摻雜區(qū)域,其中,所述第一類型深阱中的所述第一雜質(zhì)的濃度高于所述第二類型摻雜區(qū)域中的所述第二雜質(zhì)的濃度,但是低于所述第二類型摻雜區(qū)域中的所述第二雜質(zhì)的濃度的十倍; 形成部分嵌入在所述半導(dǎo)體襯底中的場氧化物,所述場氧化物從所述第二類型摻雜區(qū)域的第一側(cè)橫向延伸; 在所述第一類型深阱中并且在所述第二類型摻雜區(qū)域的與所述第二類型摻雜區(qū)域的所述第一側(cè)相對的第二側(cè)上形成所述第二導(dǎo)電類型的第二類型阱; 形成橫向延伸超過所述第二類型摻雜區(qū)域的所述第一側(cè)和所述第二側(cè)的柵極結(jié)構(gòu);以及 在所述第二類型阱中形成源極區(qū)域,并且在所述第一類型深阱中形成漏極區(qū)域,其中,所述場氧化物在所述第二類型摻雜區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間橫向延伸, 其中,所述方法還包括:在摻雜所述第二雜質(zhì)之后并且在形成所述場氧化物之前,對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火, 其中,在對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火完成之后,所述場氧化物正下方的所述第一類型深阱的最底部位置低于所述第二類型摻雜區(qū)域正下方的所述第一類型深阱的最底部位置。

      如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(中國)有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹市;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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