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龍圖騰網獲悉桑迪士克科技有限責任公司申請的專利具有耗盡區位置控制的三維存儲器器件及使用柵極感應泄漏將其擦除的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114730767B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080080027.X，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權具有耗盡區位置控制的三維存儲器器件及使用柵極感應泄漏將其擦除的方法是由矢田信介設計研發完成，并于2020-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有耗盡區位置控制的三維存儲器器件及使用柵極感應泄漏將其擦除的方法在說明書摘要公布了：與半導體溝道和源極漏極區之間的物理p?n結的位置無關的柵極感應泄漏電流可以通過采用在擦除操作期間激活的至少一個泄漏電流控制電路而在三維存儲器器件的NAND串內提供。在該擦除操作期間，可以在一對豎直相鄰的導電層之間形成累積區和反型區，其間具有耗盡區。在該擦除操作期間，該耗盡區可以產生多數電荷載流子并將其注入到該半導體溝道中。該耗盡區可以形成在該源極區或該漏極區中，并且可以不與物理p?n結重疊。因此，電荷注入位置可以與該物理p?n結的位置無關。

本發明授權具有耗盡區位置控制的三維存儲器器件及使用柵極感應泄漏將其擦除的方法在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器器件，其特征在于，所述三維存儲器器件包括： 絕緣層和導電層的交替堆疊，所述交替堆疊位于源極接觸層上方； NAND串，所述NAND串豎直延伸穿過所述交替堆疊并且包括半導體材料堆疊，所述半導體材料堆疊包括從底部到頂部的源極區、半導體溝道和漏極區，并且包括橫向圍繞所述半導體材料堆疊的存儲器膜，其中所述源極區接觸所述源極接觸層，并且其中第一物理p-n結位于所述源極區與所述半導體溝道之間，并且第二物理p-n結位于所述半導體溝道與所述漏極區之間；和 源極選擇柵極控制電路，所述源極選擇柵極控制電路被配置為在擦除操作期間將第一源極選擇柵極偏置電壓施加到所述導電層的第一源極側子集并且在所述擦除操作期間將第二源極選擇柵極偏置電壓施加到覆蓋在所述導電層的所述第一源極側子集上面的所述導電層的第二源極側子集，其中所述第一源極選擇柵極偏置電壓具有在由所述導電層的所述第一源極側子集橫向圍繞的所述源極區的中間部分處產生累積區的量值和極性，并且所述第二源極選擇柵極偏置電壓具有在由所述導電層的所述第二源極側子集橫向圍繞的所述源極區的上端部分處產生反型區并在所述反型區與所述累積區之間產生耗盡區的量值和極性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人桑迪士克科技有限責任公司，其通訊地址為：美國德克薩斯州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。