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龍圖騰網(wǎng)獲悉杰創(chuàng)半導(dǎo)體(蘇州)有限公司;江西杰創(chuàng)半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利一種高速防串?dāng)_集成芯片及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120414265B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510929207.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/20；該發(fā)明授權(quán)一種高速防串?dāng)_集成芯片及其制作方法是由祝進(jìn)田設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-07向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高速防串?dāng)_集成芯片及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高速防串?dāng)_集成芯片及其制作方法，在襯底上生長底層結(jié)構(gòu)、波導(dǎo)層及光柵結(jié)構(gòu)，在光柵結(jié)構(gòu)表面并列生長激光器量子阱結(jié)構(gòu)和調(diào)制器的量子阱結(jié)構(gòu)，刻蝕掉調(diào)制器區(qū)和激光器區(qū)的兩側(cè)邊緣部分，構(gòu)造出波導(dǎo)臺(tái)階，并在波導(dǎo)臺(tái)階兩側(cè)填充生長電流阻擋層，在波導(dǎo)臺(tái)階頂部生長P型歐姆接觸層，再次刻蝕調(diào)制器和激光器的兩側(cè)邊緣部分直至暴露底層結(jié)構(gòu)表面，形成芯片波導(dǎo)；分別制作激光器和調(diào)制器的電極；并通過減薄、解離形成Bar條，端面鍍膜完成芯片制備。通過將激光器光柵制作在量子阱層的下方，設(shè)置溝槽將激光器和調(diào)制器斷開，降低激光器的閾值電流，提高激光器的輸出功率，避免激光器和調(diào)制器之間電信號(hào)串?dāng)_。

本發(fā)明授權(quán)一種高速防串?dāng)_集成芯片及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高速防串?dāng)_集成芯片的制作方法，其特征在于，包括： 在襯底上通過外延生長獲得底層結(jié)構(gòu)，在底層結(jié)構(gòu)上生長有波導(dǎo)層； 在波導(dǎo)層表面制作光柵結(jié)構(gòu)，在光柵結(jié)構(gòu)表面外延生長第一量子阱結(jié)構(gòu)； 刻蝕掉部分的第一量子阱結(jié)構(gòu)，并在刻蝕空留區(qū)域內(nèi)外延生長第二量子阱結(jié)構(gòu)， 第二量子阱結(jié)構(gòu)和保留的第一量子阱結(jié)構(gòu)沿長度方向前后并列設(shè)置，從上至下刻蝕直至暴露底層結(jié)構(gòu)表面，刻蝕掉第一量子阱結(jié)構(gòu)、第二量子阱結(jié)構(gòu)、光柵層及波導(dǎo)層沿長度方向的兩側(cè)邊緣部分，保留并列接觸的中間區(qū)域，構(gòu)造為波導(dǎo)臺(tái)階； 在刻蝕掉的兩側(cè)邊緣部分，填充電流阻擋層，并在電流阻擋層上外延生長P型歐姆接觸層； 從上至下刻蝕去除電流阻擋層和P型歐姆接觸層的兩側(cè)邊緣部分，保留并列接觸的中間區(qū)域，構(gòu)造出芯片波導(dǎo)；從上至下刻蝕溝槽，將芯片波導(dǎo)分為并列獨(dú)立的激光器區(qū)和調(diào)制器區(qū)，且激光器區(qū)的長度大于調(diào)制器區(qū)的長度； 所述溝槽從上至下越過波導(dǎo)層直至暴露底層結(jié)構(gòu)表面，且所述溝槽的長度不小于芯片波導(dǎo)的寬度； 所述激光器區(qū)的激光器波導(dǎo)結(jié)構(gòu)靠近調(diào)制器區(qū)的端面和所述調(diào)制器區(qū)的調(diào)制器波導(dǎo)結(jié)構(gòu)靠近激光器區(qū)的端面，其中至少一個(gè)端面構(gòu)造為多斜面尖端結(jié)構(gòu)，以避免信號(hào)在激光器和調(diào)制器之間來回傳遞； 刻蝕芯片波導(dǎo)構(gòu)造獨(dú)立的激光器波導(dǎo)和調(diào)制器波導(dǎo)； 所述調(diào)制器區(qū)的調(diào)制器波導(dǎo)結(jié)構(gòu)靠近外部光纖的端面構(gòu)造為多斜面尖端結(jié)構(gòu)，以避免光信號(hào)在調(diào)制器和光纖之間來回傳遞； 分別制作激光器和調(diào)制器的電極，并通過后處理操作完成芯片制備。

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