買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉藍河科技(紹興)有限公司申請的專利一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120311308B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510812035.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B25/18；該發(fā)明授權(quán)一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法是由劉永明;鞏前程設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法。在步驟S1所限定的不低于1500℃的預(yù)定溫度及不低于50mbar的預(yù)定壓力條件下，通過步驟S2通入氫氣對摻雜碳化硅襯底進行刻蝕；在該步驟通入不低于氫氣流量0.06%的摻雜源氣，調(diào)節(jié)氫氣分子與襯底之間碰撞頻率，減少或避免氫氣刻蝕可能導(dǎo)致過度去除襯底原子層的情況。在步驟S3中，在通入氫氣和摻雜源氣的基礎(chǔ)上，通入不超過氫氣流量0.4%的含氯氣體配合氫氣精細(xì)化刻蝕，并增強刻蝕下來的碳、硅的遷移率，避免在襯底上形成硅團簇，通入不超過氫氣流量0.04%的含碳源氣，利用碳原子遷移填補因刻蝕造成的碳空位，減少晶格缺陷引起的深能級陷阱。

本發(fā)明授權(quán)一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：將摻雜碳化硅襯底置于反應(yīng)腔室內(nèi)，向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入氫氣，控制所述反應(yīng)腔室內(nèi)達到不低于1500℃的預(yù)定溫度及不低于50mbar的預(yù)定壓力； S2：調(diào)整通入所述氫氣的流量為第一流量，以不低于所述第一流量0.06%的第二流量向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入摻雜源氣，以對所述碳化硅襯底進行第一表面預(yù)處理； S3：保持所述第一流量不變，調(diào)整所述第二流量不低于所述第一流量的0.3%，向所述反應(yīng)腔室內(nèi)以不超過所述第一流量0.4%的第三流量通入含氯氣體，以不超過所述第一流量0.04%的第四流量通入含碳源氣，以在經(jīng)步驟S2得到的襯底表面進行第二表面預(yù)處理； S4：向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入所述氫氣、所述摻雜源氣、含硅源氣、所述含碳源氣和所述含氯氣體，以在經(jīng)步驟S3得到的襯底表面生長摻雜緩沖層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人藍河科技(紹興)有限公司，其通訊地址為：311800 浙江省紹興市諸暨市陶朱街道萬旺路8號1號樓1樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。