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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州晨暉智能設(shè)備有限公司申請的專利一種直拉法連續(xù)加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120273017B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510773014.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B15/12；該發(fā)明授權(quán)一種直拉法連續(xù)加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置是由閆洪嘉;李濤勇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種直拉法連續(xù)加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種直拉法連續(xù)加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置。第一坩堝的主體在x?y平面呈環(huán)形，并設(shè)有一個(gè)或多個(gè)z向開口、在水平面截面呈環(huán)形或環(huán)缺形的料槽，在料槽下方配備多條向下的疏流通道，疏流通道與料槽結(jié)合部附近設(shè)有過濾孔板。該設(shè)計(jì)具備諸多優(yōu)勢：系統(tǒng)熱效率高，熔料坩堝與拉晶坩堝上下緊臨，消除內(nèi)層石英隔壁熱阻，降低能耗；熔硅氧含量低，通過優(yōu)化坩堝溫度場、控制熔體對流、擴(kuò)大自由液面促進(jìn)氧揮發(fā)，并配合分段加熱實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控；工藝參數(shù)獨(dú)立可調(diào)，兩坩堝分層設(shè)計(jì)使二者相互干擾小；拉晶穩(wěn)定性高，大熔硅液面促進(jìn)雜質(zhì)顆粒揮發(fā)，疏流通道延長遷徙路徑和過濾孔板阻擋作用有效抑制晶變?nèi)毕荨?

本發(fā)明授權(quán)一種直拉法連續(xù)加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種直拉法連續(xù)加料生長硅單晶的熔料和拉晶裝置，其特征在于，包括第一坩堝、第二坩堝、加料管道、碳質(zhì)堝幫、碳質(zhì)堝底、第二加熱器和導(dǎo)流控溫屏；其中熔料的第一坩堝位于拉晶的第二坩堝之上，所述第一坩堝與所述第二坩堝同軸布置，所述第一坩堝的主體在x-y平面截面呈環(huán)形，所述環(huán)形包括類圓形環(huán)、類橢圓形環(huán)或類多邊形環(huán)，所述第一坩堝設(shè)有一個(gè)或多個(gè)z向開口、在水平面截面呈環(huán)形或環(huán)缺形的料槽，所述料槽在熔硅自由液面之上，在所述料槽下方設(shè)有至少一條向下的疏流通道，所述疏流通道與料槽結(jié)合部附近設(shè)有過濾孔板；所述料槽外底部與所述第二坩堝上沿在z方向上的間距小于150mm；所述料槽內(nèi)環(huán)邊外壁為在xoz截面上呈斜線或弧線的氣流導(dǎo)流面，所述斜線或弧線自下而上的傾角α為20°~85°。

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