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龍圖騰網獲悉艾司博國際有限公司申請的專利薄型傳感器芯片的扇出封裝結構及其封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114759050B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210231626.8，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權薄型傳感器芯片的扇出封裝結構及其封裝方法是由方立志設計研發完成，并于2022-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本薄型傳感器芯片的扇出封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了薄型傳感器芯片的扇出封裝結構，包括玻璃載具組、芯片級封裝和扇出型封裝，所述玻璃載具組包括晶圓級玻璃載具和薄玻璃，所述薄玻璃的底部粘附有保護膠帶，且保護膠帶的表面粘結有金屬層，本發明涉及半導體封裝技術領域。該薄型傳感器芯片的扇出封裝結構，通過影像傳感器用薄型的封裝，圖像信號處理器也做在薄型封裝體內，再將兩者整合成一個封裝體，透過特殊的設計及制程方法，可以將玻璃、芯片、封裝體變薄，又有足夠的強度，不會造成影像變形。

本發明授權薄型傳感器芯片的扇出封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了：1.薄型傳感器芯片的扇出封裝結構的封裝方法，其特征在于：包括以下步驟： 步驟一、扇出型封裝（2）制備：在玻璃載具上刷涂上黏膠層，然后在黏膠層上制作第一面錫銅接點及復數層RDL，然后在RDL最上層長出銅柱，然后將圖像信號處理器黏接在上層RDL上，將芯片表面的銅凸塊朝上，然后壓模灌樹脂，再對壓模樹脂的表面進行研磨，制作復數層RDL，在最后一層RDL接點處長出銅凸塊，然后將玻璃載具上的黏膠層溶解，移除玻璃載具后，將封裝的芯片切成單顆，得到扇出型封裝（2）； 步驟二、芯片級封裝（1）制備：制得玻璃載具組，在影像傳感器晶圓傳感器四周的表面涂上黏膠（9），然后將影像傳感器晶圓倒裝黏在薄玻璃（4）背離晶圓級玻璃載具（3）的一面，將影像傳感器晶圓背面研磨，在影像傳感器晶圓背面制作TSV，作為芯片上下表面信號的連接，接著在影像傳感器晶圓背面制作復數層的RDL再分配層，最后在接點處電鍍出錫銅凸塊，得到芯片級封裝（1）； 步驟三、芯片級封裝（1）與扇出型封裝（2）整合：將扇出型封裝（2）第一面錫銅接點對芯片級封裝（1）的錫銅凸塊，通過焊錫（10）焊接形成電性導通，將扇出型封裝（2）第二面接點的銅凸塊朝上，壓模灌樹脂得到樹脂封裝（7），研磨壓模樹脂封裝（7）表面，直到扇出型封裝（2）第二面接點的銅凸塊露出及達到設計的厚度，制作復數層RDL，在最后一層RDL接點處長出銅凸塊，在銅凸塊處植錫球（8），移除晶圓級玻璃載具（3）、保護膠帶（5）和金屬層（6），將晶圓切成單顆，完成制程。

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