三星電子株式會社高民求獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利發光裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN110660820B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201910238059.7,技術領域涉及:H10H29/14;該發明授權發光裝置是由高民求;郭重熙;柳榮浩;梁成錫;李相奭;蔡昇完設計研發完成,并于2019-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光裝置在說明書摘要公布了:發光裝置包括:襯底,其在第一方向和第二方向上延伸;第一發光結構至第四發光結構,其在第一方向和第二方向上彼此間隔開并且以矩陣形式布置在襯底上;多個第一互連層結構,其將第一發光結構連接至第二發光結構;第二互連層結構,其將第二發光結構連接至第三發光結構;以及多個第三互連層結構,其將第三發光結構連接至第四發光結構。
本發明授權發光裝置在權利要求書中公布了:1.一種發光裝置,包括: 襯底,其在第一方向和第二方向上延伸; 第一發光結構至第四發光結構,其在第一方向和第二方向上彼此間隔開,并且在所述襯底上以矩陣形式布置,所述第一發光結構至所述第四發光結構包括所述第一發光結構、第二發光結構、第三發光結構和所述第四發光結構; 多個第一互連層結構,其將所述第一發光結構連接至所述第二發光結構; 第二互連層結構,其將所述第二發光結構連接至所述第三發光結構;以及 多個第三互連層結構,其將所述第三發光結構連接至所述第四發光結構, 其中,所述第一發光結構至所述第四發光結構中的每一個包括第一導電氮化物半導體層、所述第一導電氮化物半導體層上方的有源層以及所述有源層上方的第二導電氮化物半導體層, 其中,所述發光裝置還包括: 第一電流擴散層結構,其連接至所述第一發光結構的第二導電氮化物半導體層;以及 第二電流擴散層結構,其連接至所述第四發光結構的第一導電氮化物半導體層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社,其通訊地址為:韓國京畿道;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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