江西兆馳半導體有限公司程龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種LED外延片、外延生長方法及LED芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551661B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210164053.1，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種LED外延片、外延生長方法及LED芯片是由程龍;印從飛;劉春楊;胡加輝設計研發完成，并于2022-02-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種LED外延片、外延生長方法及LED芯片在說明書摘要公布了：本發明提供一種LED外延片、外延生長方法及LED芯片，外延生長方法包括在生長P型接觸層時，控制生長溫度從高溫逐漸降至低溫，同時，摻雜Mg，控制Mg通入濃度高于P型GaN層Mg濃度，并且隨著生長溫度的降低，所述Mg通入濃度逐漸升高，因為在較高溫度生長Mg摻GaN層可以得到較高晶體質量的Mg摻GaN層，同時，高溫時，Mg較易摻雜進入GaN層中，但在低溫時，摻雜Mg效率的下降很多，而通過在低溫提高通入Mg的濃度，可以改善Mg在低溫時摻雜濃度低的問題，又由于從高溫到低溫，降溫的過程Mg逐漸并入，有效減少了Mg摻GaN層的晶格失配，從而使得P型接觸層的接觸電阻降低的同時，保證了晶體質量。
本發明授權一種LED外延片、外延生長方法及LED芯片在權利要求書中公布了：1.一種LED外延片的外延生長方法，其特征在于，所述外延生長方法包括： 提供一生長所需的藍寶石襯底； 在所述藍寶石襯底上依次外延生長緩沖層、非故意摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層和P型接觸層； 將所述P型接觸層在N2中進行退火處理； 在生長P型接觸層時，控制生長溫度從高溫逐漸降至低溫，同時，摻雜Mg，控制Mg通入濃度高于P型GaN層Mg濃度，并且隨著生長溫度的降低，所述Mg通入濃度逐漸升高，所述P型接觸層生長溫度從900℃～1000℃降至700℃，同時，隨著所述P型接觸層生長溫度的降低，所述Mg通入濃度從1E19升高至5E20，所述P型接觸層生長壓力為100torr～600torr。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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