臺灣積體電路制造股份有限公司馬禮修獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成芯片、鐵電場效應晶體管(FEFET)器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551568B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210109031.5，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權集成芯片、鐵電場效應晶體管(FEFET)器件及其形成方法是由馬禮修;張志宇;楊世海設計研發完成，并于2022-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成芯片、鐵電場效應晶體管(FEFET)器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種鐵電場效應晶體管FeFET器件。在一些實施例中，FeFET器件包括具有第一側和與第一側相反的第二側的鐵電層以及沿鐵電層的第一側設置的柵電極。FeFET器件還包括沿鐵電層的與第一側相反的第二側設置的OS溝道層和設置在OS溝道層的相反側上的一對源極漏極區域。FeFET器件還包括沿OS溝道層設置的2D接觸層。OS溝道層具有第一摻雜類型，2D接觸層具有不同于第一摻雜類型的第二摻雜類型。本申請的實施例提供了集成芯片、鐵電場效應晶體管FEFET器件及其形成方法。
本發明授權集成芯片、鐵電場效應晶體管(FEFET)器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種鐵電場效應晶體管器件，包括： 鐵電層，具有第一側和與第一側相反的第二側； 柵電極，沿所述鐵電層的第一側設置； 氧化物半導體溝道層，沿所述鐵電層的與所述第一側相反的第二側設置，所述氧化物半導體溝道層具有第一摻雜類型； 一對源極漏極區域，設置在所述氧化物半導體溝道層的相反側上；以及 二維接觸層，沿所述氧化物半導體溝道層設置，所述二維接觸層具有不同于所述第一摻雜類型的第二摻雜類型， 所述二維接觸層位于所述一對源極漏極區域與所述氧化物半導體溝道層之間，所述一對源極漏極區域的底表面接觸所述二維接觸層的上表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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