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龍圖騰網(wǎng)獲悉致真存儲(chǔ)(北京)科技有限公司申請(qǐng)的專利一種SOT-MRAM器件及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114497361B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210085736.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/10；該發(fā)明授權(quán)一種SOT-MRAM器件及其形成方法是由張叢;劉宏喜;陳文靜;王嘉毅;曹凱華;王戈飛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-25向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種SOT-MRAM器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種SOT?MRAM器件的形成方法，包括以下步驟：提供一襯底，在襯底上沉積SOT層；圖形化磁隧道結(jié)圖案到SOT層上方的光刻膠；對(duì)光刻膠表面進(jìn)行固化處理，在SOT層上沉積MTJ堆疊層；采用剝離工藝去除SOT層上的光刻膠；在SOT層和MTJ堆疊層上沉積介質(zhì)層，對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，刻蝕介質(zhì)層，將所需圖案轉(zhuǎn)移到介質(zhì)層；在圖形化處理后的介質(zhì)層上沉積電極層，對(duì)電極層進(jìn)行圖形化處理，刻蝕后形成SOT?MRAM器件。本發(fā)明通過圖形化光刻膠后沉積膜堆的方式，避免了對(duì)SOT層蝕刻而引起的器件開路，優(yōu)化MTJ隧道結(jié)的側(cè)壁形貌，消除了刻蝕引起的側(cè)壁損傷及缺陷，提高了SOT?MRAM器件的穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)一種SOT-MRAM器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SOT-MRAM器件的形成方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟S1：提供一襯底，在襯底上沉積SOT層； 步驟S2：在所述SOT層上進(jìn)行光刻，圖形化磁隧道結(jié)圖案到SOT層上方的光刻膠； 步驟S3：對(duì)所述光刻膠的表面進(jìn)行固化處理，形成固化層，所述固化處理使所述光刻膠的圖形保持側(cè)壁形貌； 步驟S4：在已圖形化光刻膠的SOT層上沉積MTJ堆疊層，所述MTJ堆疊層從SOT層上表面開始，由下到上依次包括自由層、隧道結(jié)阻擋層、參考層、釘扎層、覆蓋層； 步驟S5：采用剝離工藝去除SOT層上的光刻膠及光刻膠上的膜堆，保留SOT層上沉積的MTJ堆疊層； 步驟S6：在所述SOT層和MTJ堆疊層上沉積介質(zhì)層； 步驟S7：對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，用氣體刻蝕介質(zhì)層，所需圖案被轉(zhuǎn)移到介質(zhì)層，刻蝕停止在所述MTJ堆疊層的上表面； 步驟S8：在所述圖形化處理后的介質(zhì)層上沉積電極層； 步驟S9：對(duì)所述電極層進(jìn)行圖形化處理，用氣體刻蝕電極層，將所需圖案轉(zhuǎn)移到電極層后形成SOT-MRAM器件。

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