買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利溝槽型功率器件的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114429906B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111648832.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)溝槽型功率器件的制造方法是由楊嘯;陳輝;王加坤設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本溝槽型功率器件的制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)公開(kāi)了溝槽型功率器件的制造方法。所述制造方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成漂移區(qū)；在所述漂移區(qū)中形成第一溝槽和第二溝槽；在所述第一溝槽中形成柵疊層；采用第一離子注入，在所述漂移區(qū)中形成P型的阱區(qū)和摻雜區(qū)；以及采用第二離子注入，在所述阱區(qū)中形成N型的源區(qū)，其中，所述第一離子注入形成摻雜劑濃度隨著深度逐漸減小的阱區(qū)，所述第二離子注入將所述阱區(qū)的上部反型以形成所述源區(qū)。該制造方法在公共的離子注入步驟中以自對(duì)準(zhǔn)方式形成P型的阱區(qū)和摻雜區(qū)，不僅可以提高功率器件的性能，而且可以減少離子注入的工藝步驟和掩模數(shù)量，從而降低功率器件的制造成本。

本發(fā)明授權(quán)溝槽型功率器件的制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種溝槽型功率器件的制造方法，包括： 在半導(dǎo)體襯底上形成漂移區(qū)； 在所述漂移區(qū)中形成第一溝槽和第二溝槽； 在所述第一溝槽中形成柵疊層； 采用第一離子注入，在所述漂移區(qū)中形成P型的阱區(qū)和摻雜區(qū)；以及 采用第二離子注入，在所述阱區(qū)中形成N型的源區(qū)， 其中，所述第一離子注入形成摻雜劑濃度隨著深度逐漸減小的阱區(qū)，所述第二離子注入將所述阱區(qū)的上部反型以形成所述源區(qū)， 在所述第二離子注入中，使用所述柵疊層作為硬掩模，以及使用抗蝕劑掩模遮擋所述第二溝槽，在所述阱區(qū)的上部注入摻雜劑。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，其通訊地址為：310051 浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。