中芯國際集成電路制造(上海)有限公司朱浩洲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116153932B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111397008.2，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體結構及其形成方法是由朱浩洲;蔡燕飛;王俊;郁揚;王代平;方宗勇設計研發完成，并于2021-11-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中結構包括：包括：襯底，襯底包括沿第一方向排布的第一區、隔離區和第二區，第一區上具有若干第一有源區，第二區上具有若干第二有源區；位于第二區上的第一柵極結構；位于第一區上的隔離結構，且隔離結構與第一柵極結構相互分立；第一導電插塞，第一導電插塞覆蓋第一柵極結構的側壁和部分頂部表面，且第一導電插塞與隔離結構不接觸。由于第一柵極結構和隔離結構相互分立，能夠避免第一柵極結構與隔離結構連接形成冗余電容，進而能夠有效地降低動態功耗，并提高電路的速度。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括沿第一方向排布的第一區、隔離區和第二區，所述隔離區位于所述第一區和所述第二區之間，所述第一區上具有若干第一有源區，所述第二區上具有若干第二有源區，若干所述第一有源區和若干所述第二有源區分別平行于第二方向，所述第一方向與所述第二方向垂直； 位于所述第二區和部分所述隔離區上的第一柵極結構，所述第一柵極結構橫跨所述第二有源區； 位于所述第一區和部分所述隔離區上的隔離結構，所述隔離結構橫跨所述第一有源區，所述第一柵極結構和所述隔離結構在所述第一方向上相鄰排布，且所述隔離結構與所述第一柵極結構相互分立； 第一導電插塞，所述第一導電插塞覆蓋所述第一柵極結構的側壁和部分頂部表面，且所述第一導電插塞與所述隔離結構不接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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