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龍圖騰網獲悉株洲中車時代半導體有限公司申請的專利大功率半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114038808B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111264988.9，技術領域涉及：H01L23/16；該發明授權大功率半導體器件是由王飛;曾文彬;孫文偉;操國宏;陳芳林;石鏗;董超;鄒平;劉應;唐柳生設計研發完成，并于2021-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本大功率半導體器件在說明書摘要公布了：本申請提供了一種大功率半導體器件。該大功率半導體器件包括：半導體芯片；半導體芯片位于大功率半導體器件的頂部；內部驅動板，其位于大功率半導體器件的底部；門極銅塊，其設置在芯片門極區域與內部驅動板之間；銅塊通過彈性導電組件下壓位于內部驅動板上的MOSFET；彈性導電組件包括用于調節MOSFET所受壓力大小的碟簧。利用該大功率半導體器件，其銅塊通過彈性導電組件下壓位于所述內部驅動板上的MOSFET，從而確保各個MOSFET所受壓力的均勻一致，降低接觸熱阻與大功率半導體器件的內部壓降，并通過控制彈性導電組件中碟簧的壓縮量，將壓力的大小控制在一定的范圍內，防止壓壞MOSFET。

本發明授權大功率半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種大功率半導體器件，其特征在于，包括： 半導體芯片，其包括環狀的芯片門極區域、位于所述芯片門極區域內的第一芯片陰極區域和位于所述芯片門極區域外的第二芯片陰極區域；所述半導體芯片位于大功率半導體器件的頂部； 內部驅動板，其位于大功率半導體器件的底部； 內陰極銅塊，其設置在所述第一芯片陰極區域與所述內部驅動板之間； 外陰極銅塊，其設置在所述第二芯片陰極區域與所述內部驅動板之間； 門極銅塊，其設置在所述芯片門極區域與所述內部驅動板之間； 所述門極銅塊、所述內陰極銅塊或所述外陰極銅塊通過彈性導電組件下壓位于所述內部驅動板上的門極MOSFET、內陰極MOSFET或外陰極MOSFET；所述彈性導電組件包括用于調節所述門極MOSFET、所述內陰極MOSFET或所述外陰極MOSFET所受壓力大小的彈性件； 管蓋，其設置在所述半導體芯片上方； 管座，其設置在所述內部驅動板下方；以及， 管殼，其環繞所述管座和所述管蓋設置。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株洲中車時代半導體有限公司，其通訊地址為：412001 湖南省株洲市石峰區田心高科園半導體三線辦公大樓三樓309室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。