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      常州捷佳創(chuàng)精密機(jī)械有限公司左國軍獲國家專利權(quán)

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      龍圖騰網(wǎng)獲悉常州捷佳創(chuàng)精密機(jī)械有限公司申請(qǐng)的專利鍍膜設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN113718234B

      龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202110984829.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C23C16/50;該發(fā)明授權(quán)鍍膜設(shè)備是由左國軍;梁建軍;楊虎設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-08-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

      鍍膜設(shè)備在說明書摘要公布了:本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種鍍膜設(shè)備,包括:等離子體組件,包括:第一電極組件;第二電極組件,與第一電極組件的間隙形成沉積空間,物料位于沉積空間;熱絲組件,用于利用溫度場(chǎng)使反應(yīng)物分解。本發(fā)明的技術(shù)方案中,同時(shí)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和熱絲化學(xué)氣相沉積工藝對(duì)硅片進(jìn)行鍍膜,熱絲組件能夠減弱離子轟擊的副作用,降低由于離子轟擊導(dǎo)致膜層產(chǎn)生缺陷的可能性,且熱絲組件的無離子轟擊作用有利于提高沉積薄膜的質(zhì)量,結(jié)合第一電極組件和第二電極組件的等離子體增強(qiáng)的作用,薄膜的沉積面積均勻性好,降低了熱絲本身鍍膜的可能性,有利于實(shí)現(xiàn)太陽能電池的規(guī)模化生產(chǎn),達(dá)到高速沉積微晶硅和納米硅的目的,提高產(chǎn)品質(zhì)量。

      本發(fā)明授權(quán)鍍膜設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了:1.一種鍍膜設(shè)備,其特征在于,包括: 第一電極組件111; 第二電極組件112,與所述第一電極組件111極性相反,所述第二電極組件112與所述第一電極組件111的間隙形成沉積空間113; 熱絲組件120,設(shè)于所述第一電極組件111與所述第二電極組件112之間,或所述熱絲組件120繞設(shè)于所述第一電極組件111以及所述第二電極組件112的外周,所述熱絲組件120用于利用溫度場(chǎng)使反應(yīng)物分解, 其中,物料200位于所述沉積空間113內(nèi),所述物料200與所述第一電極組件111平行,且所述物料200與所述第二電極組件112平行; 在所述鍍膜設(shè)備為板式結(jié)構(gòu)的情況下,所述熱絲組件120包括: 安裝框架121,設(shè)于所述沉積空間113; 加熱絲122,穿設(shè)于所述安裝框架121; 承接柱141,所述承接柱141的一端與所述第一電極組件111連接,所述承接柱141的另一端與所述第二電極組件112連接,所述承接柱141上設(shè)有限位凸起142,所述安裝框架121與所述限位凸起142連接; 在所述鍍膜設(shè)備為筒式結(jié)構(gòu)的情況下,所述鍍膜設(shè)備還包括: 筒體130,所述第一電極組件111與所述第二電極組件112均設(shè)于所述筒體130內(nèi)部,所述物料200能夠沿所述筒體130的長度方向運(yùn)動(dòng); 所述加熱絲122的數(shù)量為多個(gè),多個(gè)所述加熱絲122平行設(shè)置;和或 多個(gè)所述加熱絲122首尾相連; 所述第一電極組件111包括: 第一連接部1111,設(shè)于所述筒體130的內(nèi)部; 多個(gè)第一電極板1112,設(shè)于所述第一連接部1111,相鄰兩個(gè)所述第一電極板1112之間的間距相同; 所述第二電極組件112包括: 第二連接部1121,設(shè)于所述筒體130的內(nèi)部,所述第二連接部1121與所述第一連接部1111平行設(shè)置; 多個(gè)第二電極板1122,設(shè)于所述第二連接部1121,相鄰兩個(gè)所述第二電極板1122之間的間距相同; 所述第二電極板1122與所述第一電極板1112交錯(cuò)設(shè)置,所述第二電極板1122與所述第一電極板1112相互平行,所述第二電極板1122與所述第一電極板1112之間的間隙形成所述沉積空間113; 所述承接柱的數(shù)量為四個(gè),四個(gè)所述承接柱分別位于所述電極組件的四角位置。

      如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人常州捷佳創(chuàng)精密機(jī)械有限公司,其通訊地址為:213133 江蘇省常州市新北區(qū)機(jī)電工業(yè)園寶塔山路9號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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