臺灣積體電路制造股份有限公司蔣國璋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利晶體管和形成氧化物半導體晶體管的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113540255B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110721471.1，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權晶體管和形成氧化物半導體晶體管的方法是由蔣國璋;孫宏彰;楊子慶;賴昇志;江昱維;謝佑剛;楊豐誠設計研發完成，并于2021-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶體管和形成氧化物半導體晶體管的方法在說明書摘要公布了：包括溝道層的晶體管及其制造方法，溝道層包括氧化物半導體材料。該晶體管包括溝道層，該溝道層包括具有第一氧濃度的第一氧化物半導體層、具有第二氧濃度的第二氧化物半導體層和具有第三氧濃度的第三氧化物半導體層。第二氧化物半導體層位于第一半導體氧化物層和第三氧化物半導體層之間。第二氧濃度低于第一氧濃度和第三氧濃度。本發明的實施例還涉及形成氧化物半導體晶體管的方法。
本發明授權晶體管和形成氧化物半導體晶體管的方法在權利要求書中公布了：1.一種晶體管，包括： 堆疊的柵電極，彼此堆疊并通過第一介電層隔開； 第二介電層，沿著每個所述柵電極的側壁設置； 源電極和漏電極；以及 溝道層，具有面對所述第二介電層的第一表面、與所述第一表面相對的第二表面以及位于所述第一表面和所述第二表面之間的中間部分，其中，所述源電極和所述漏電極與所述溝道層的所述第二表面電接觸，所述第二介電層的部分設置在所述溝道層與每個所述柵電極的所述側壁之間，并且所述溝道層具有靠近所述溝道層的所述第二表面的第一載流子濃度和所述溝道層的所述中間部分中的第二載流子濃度，并且所述第一載流子濃度小于所述第二載流子濃度； 其中，所述溝道層包括： 第一氧化物半導體層，具有第一氧濃度； 第二氧化物半導體層，具有第二氧濃度；以及 第三氧化物半導體層，具有第三氧濃度； 其中，所述第二氧化物半導體層位于所述第一氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層之間； 其中，所述第二氧化物半導體層的厚度大于所述第一氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層的組合厚度。
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