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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114446788B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011190865.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構的形成方法是由姜春磊;李敏;林先軍設計研發完成，并于2020-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：對所述第一介質材料層進行第一平坦化處理，直至暴露出所述硬掩膜層頂部表面，形成初始層間介質層，所述初始層間介質層表面最低處高于或齊平于所述第一偽柵極頂部表面和所述第二偽柵極頂部表面；去除所述硬掩膜層后，刻蝕所述初始層間介質層，直至去除所述第一區上高于所述第一偽柵極頂部表面的初始層間介質層，形成過渡層間介質層；在所述第一偽柵極、所述第二偽柵極和所述過渡層間介質層頂部表面形成第二介質材料層；采用第二平坦化處理所述第二介質材料層和所述過渡層間介質層，直到暴露出所述第一偽柵極、所述第二偽柵極頂部表面，最終形成具有平坦表面的層間介質層，提高了器件的性能。

本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底包括第一區和第二區； 在所述第一區上形成多個第一偽柵極，在所述第二區上形成多個第二偽柵極，相鄰的所述第一偽柵極之間的距離小于相鄰的所述第二偽柵極之間的距離，所述第一偽柵極頂部表面和所述第二偽柵極頂部表面均具有硬掩膜層； 在所述襯底表面形成第一介質材料層，所述第一介質材料層位于所述第一偽柵極側壁、所述第二偽柵極側壁、所述硬掩膜層側壁和頂部表面； 對所述第一介質材料層進行第一平坦化處理，直至暴露出所述硬掩膜層頂部表面，形成初始層間介質層，所述初始層間介質層表面最低處高于或齊平于所述第一偽柵極頂部表面和所述第二偽柵極頂部表面； 形成所述初始層間介質層后，去除所述硬掩膜層； 去除所述硬掩膜層后，刻蝕所述初始層間介質層，直至去除所述第一區上高于所述第一偽柵極頂部表面的初始層間介質層，形成過渡層間介質層，所述刻蝕所述初始層間介質層的工藝包括干法刻蝕工藝和濕法刻蝕工藝中的一者或兩者的結合； 在形成所述過渡層間介質層后，在所述第一偽柵極、所述第二偽柵極和所述過渡層間介質層頂部表面形成第二介質材料層； 采用第二平坦化處理所述第二介質材料層和所述過渡層間介質層，直到暴露出所述第一偽柵極、所述第二偽柵極頂部表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。