中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所張澤紅獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所申請(qǐng)的專利一種具有高損傷閾值的聲光Q開(kāi)關(guān)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN111370987B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202010341776.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01S3/117;該發(fā)明授權(quán)一種具有高損傷閾值的聲光Q開(kāi)關(guān)是由張澤紅;毛世平;蔣世義;謝強(qiáng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-04-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種具有高損傷閾值的聲光Q開(kāi)關(guān)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種具有高損傷閾值的聲光Q開(kāi)關(guān),包括底座,所述底座內(nèi)設(shè)置有水冷塊,在底座的下部安裝有與所述水冷塊連通的水嘴,所述水冷塊的側(cè)壁上安裝有聲光介質(zhì),所述聲光介質(zhì)上表面設(shè)置有焊接層,所述焊接層上安裝有換能器,所述換能器的上表面設(shè)置有表電極;所述表電極通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)、溫度繼電器連接到射頻插座;所述聲光介質(zhì)為高純度融石英或石英晶體,在聲光介質(zhì)的通光面上鍍制了短波譜段的減反膜;本發(fā)明用高純度融石英或石英晶體代替氧化碲晶體,能夠大幅度提高短波聲光Q開(kāi)關(guān)的損傷閾值;采用高純金或高純銀作為鍵合層材料能提高聲光Q開(kāi)關(guān)承受驅(qū)動(dòng)電功率的能力,提高聲光Q開(kāi)關(guān)的衍射效率。
本發(fā)明授權(quán)一種具有高損傷閾值的聲光Q開(kāi)關(guān)在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種具有高損傷閾值的聲光Q開(kāi)關(guān),包括底座,所述底座內(nèi)設(shè)置有水冷塊,在底座的下部安裝有與所述水冷塊連通的水嘴,所述水冷塊的側(cè)壁上安裝有聲光介質(zhì),所述聲光介質(zhì)上表面設(shè)置有焊接層,所述焊接層上安裝有換能器,所述換能器的上表面設(shè)置有表電極;所述表電極通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)、溫度繼電器連接到射頻插座;其特征在于,所述聲光介質(zhì)為高純度融石英或石英晶體,并在聲光介質(zhì)的通光面上鍍制了減反膜;所述聲光介質(zhì)與底座之間依次安裝有第一導(dǎo)電銀漿、銦箔和第二導(dǎo)電銀漿,所述底座通過(guò)第一導(dǎo)電銀漿、銦箔、第二導(dǎo)電銀漿與所述焊接層電導(dǎo)通。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所,其通訊地址為:400060 重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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