東京毅力科創株式會社H·吉姆·富爾福德獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利使用光電標記對半導體器件進行裸片級唯一認證和序列化的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113785384B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080027902.8，技術領域涉及：H01L21/3213；該發明授權使用光電標記對半導體器件進行裸片級唯一認證和序列化的方法是由H·吉姆·富爾福德;安東尼·舍皮斯;安東·德維利耶設計研發完成，并于2020-03-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本使用光電標記對半導體器件進行裸片級唯一認證和序列化的方法在說明書摘要公布了：一種用于在裸片級標記半導體襯底以提供唯一認證和序列化的方法，該方法包括：使用基于掩模的光刻法將第一圖案的光化輻射投射到該襯底上的光刻膠層上，該第一圖案限定半導體器件結構；以及使用直寫式投射將第二圖案的光化輻射投射到該光刻膠層上，該第二圖案限定具有唯一電氣簽名的唯一布線結構。
本發明授權使用光電標記對半導體器件進行裸片級唯一認證和序列化的方法在權利要求書中公布了：1.一種對襯底進行標記的方法，所述方法包括： 在襯底上形成光刻膠層； 使用基于掩模的光刻系統將第一圖案的光化輻射投射到所述光刻膠層上，所述第一圖案限定半導體器件結構； 使用直寫式投射系統將第二圖案的光化輻射投射到所述光刻膠層上，所述第二圖案限定具有唯一電氣簽名的唯一布線結構并且與所述襯底的唯一標記相關； 對所述光刻膠層進行顯影以生成浮雕圖案；以及 形成具有所述唯一電氣簽名的所述唯一布線結構， 其中，所述唯一布線結構是導電路徑的矩陣，其中，至少一個所述導電路徑上布置有塊，所述塊是所述導電路徑的一部分，具有增加的厚度以及降低的電阻率，以及 其中，通過坐標位置來改變所述塊在導電路徑上的放置，以限定所述唯一布線結構的不同圖形布置。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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