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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳新聲半導體有限公司申請的專利一種TF-SAW諧振器及其制備方法、濾波器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120415367B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510922030.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03H9/25；該發(fā)明授權(quán)一種TF-SAW諧振器及其制備方法、濾波器是由黃磊;鄒潔;馮端設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-07-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種TF-SAW諧振器及其制備方法、濾波器在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條、金屬凸塊以及凹陷，活塞結(jié)構(gòu)位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu)，通過改變該末端區(qū)域的聲速來實現(xiàn)更大的聲速差，從而使得橫向模式向不同方向反射以避免其形成諧振造成能量耗散；在橫向模式的傳播路徑上，再設(shè)置子匯流條、金屬凸塊以及凹陷，通過造成聲速差來消除雜波干擾，以最大程度的抑制雜模干擾，提高Q值，提升通帶內(nèi)的插損平坦度，提升通帶內(nèi)駐波的性能，提升插入損耗等，進而提升TF?SAW諧振器的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種TF-SAW諧振器及其制備方法、濾波器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種TF-SAW諧振器，其特征在于，所述TF-SAW諧振器包括： 襯底； 位于所述襯底一側(cè)的壓電薄膜層； 位于所述壓電薄膜層背離所述襯底一側(cè)的叉指電極；所述叉指電極包括匯流條、子匯流條和電極指條，所述電極指條包括聲學部分和電學部分，所述電學部分的兩端分別連接所述聲學部分和所述匯流條；所述匯流條包括在第一方向上相對設(shè)置的第一匯流條和第二匯流條，所述子匯流條包括在所述第一方向上相對設(shè)置的第一子匯流條和第二子匯流條；所述電極指條包括位于所述第一匯流條上的第一電極指條和位于所述第二匯流條上的第二電極指條；所述第一子匯流條位于所述第一匯流條與所述第二電極指條之間，且與所述第一電極指條的電學部分連接；所述第二子匯流條位于所述第二匯流條與所述第一電極指條之間，且與所述第二電極指條的電學部分連接；所述匯流條和所述子匯流條沿第二方向延伸，所述電極指條的長度延伸方向與所述第一方向平行，所述第一方向和所述第二方向平行于所述襯底所在平面，且所述第一方向和所述第二方向相交； 位于所述聲學部分兩端的活塞結(jié)構(gòu)； 金屬凸塊以及凹陷；所述匯流條包括面向所述子匯流條一側(cè)的第一表面，所述子匯流條包括面向所述匯流條一側(cè)的第二表面；所述第一表面和所述第二表面中其中一個表面設(shè)置所述金屬凸塊，另一個表面設(shè)置所述凹陷；所述金屬凸塊和所述凹陷在所述第一方向上一一對應設(shè)置。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人深圳新聲半導體有限公司，其通訊地址為：518049 廣東省深圳市福田區(qū)中康路136號深圳新一代產(chǎn)業(yè)園3棟801；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。