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龍圖騰網獲悉蘇州晶湛半導體有限公司申請的專利紫外LED及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115485862B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080097534.4，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權紫外LED及其制作方法是由程凱;劉撰設計研發完成，并于2020-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本紫外LED及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種紫外LED及其制作方法，制作方法中，在電子提供層上形成N型過渡層和或在空穴提供層上形成P型過渡層，電子提供層與空穴提供層的材料都至少包括Al、Ga、N三種元素，N型過渡層與P型過渡層的材料為GaN；在N型過渡層上形成N電極，N型過渡層與N電極之間形成歐姆接觸；在P型過渡層上形成P電極，P型過渡層與P電極之間形成歐姆接觸。相對于在含鋁GaN基材料上直接形成歐姆接觸電極，可以避免退火，以及避免退火過程中的高溫造成電子提供層性能下降，有源層中電子空穴復合率降低。

本發明授權紫外LED及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種紫外LED，其特征在于，包括： 電子提供層（11）、空穴提供層（13）以及所述電子提供層（11）與所述空穴提供層（13）之間的有源層（12），所述電子提供層（11）與所述空穴提供層（13）的材料都至少包括Al、Ga、N三種元素；所述電子提供層（11）上具有N型過渡層（141），所述電子提供層（11）與所述N型過渡層（141）之間具有N型漸變材料層（161）；所述N型過渡層（141）的材料為GaN；所述N型過渡層（141）上設置有N電極（151），所述N型過渡層（141）與所述N電極（151）之間形成歐姆接觸，以使所述N電極（151）與所述N型過渡層（141）之間不需退火就能形成低接觸電阻； 所述空穴提供層（13）上具有P型過渡層（142），所述P型過渡層（142）的材料為GaN；所述P型過渡層（142）上設置有P電極（152），所述P型過渡層（142）與所述P電極（152）之間形成歐姆接觸； 其中，所述空穴提供層（13）與所述P型過渡層（142）之間具有P型漸變材料層（162）； 所述N型過渡層（141）為N型離子重摻雜GaN層（141'），和所述P型過渡層（142）為P型離子重摻雜GaN層（142'）； 所述P型離子重摻雜GaN層（142'）和所述P電極（152）之間具有在所述P型離子重摻雜GaN層（142'）上依次疊置的N型漸變材料層（161）和N型離子重摻雜GaN層（141'）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州晶湛半導體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號西北區20幢517-A室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。