寧波大學符宇航獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉寧波大學申請的專利一種低頻可調諧的雙頻去耦天線結構獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114914690B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210519398.4,技術領域涉及:H01Q1/52;該發明授權一種低頻可調諧的雙頻去耦天線結構是由符宇航;陳子航;劉珂炫;吳凱晟;陳益;華昌洲設計研發完成,并于2022-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種低頻可調諧的雙頻去耦天線結構在說明書摘要公布了:本發明公開了一種低頻可調諧的雙頻去耦天線結構,包括介質基板、一對F型天線、第一金屬地、去耦結構和匹配網絡,匹配網絡將一對F型天線的輸出阻抗在高頻段和低頻段內均匹配到50歐姆,去耦結構使用中和線結構、缺陷地結構和地板分支來實現,由第七矩形金屬塊、第八矩形金屬塊和第九矩形金屬塊構成的中和線結構實現了對于高頻段的去耦,缺陷地結構以及由第十矩形金屬塊、第十一矩形金屬塊和第十二矩形金屬塊和第十三矩形金屬塊構成的地板分支實現低頻段去耦,通過改變第一矩形槽內的可變電容的電容值,使得在低頻段有可調諧的功能;優點是能夠實現雙頻段的去耦,結構相對簡單,并且能夠滿足低頻段可調諧需求,在實際應用中具有較高的靈活性。
本發明授權一種低頻可調諧的雙頻去耦天線結構在權利要求書中公布了:1.一種低頻可調諧的雙頻去耦天線結構,包括介質基板、一對天線、第一金屬地、去耦結構和匹配網絡,所述的介質基板為長方體形狀,所述的介質基板的材質為FR4、相對介電常數為4.4、損耗正切值為0.02,所述的介質基板的長為80mm、寬為60mm、高為1.6mm,所述的介質基板的長沿前后方向,寬沿左右方向,其特征在于所述的一對天線為一對F型天線,所述的去耦結構使用中和線結構、缺陷地結構和地板分支來實現,能夠實現高頻段去耦、低頻雙頻去耦以及低頻段可調諧,所述的匹配網絡用于將一對F型天線的輸出阻抗在高頻段和低頻段內均匹配到50歐姆;所述的第一金屬地附著在所述的介質基板的上表面,所述的第一金屬地的左端面與所述的介質基板的左端面齊平,所述的第一金屬地的右端面與所述的介質基板的右端面齊平,所述的第一金屬地的后端面與所述的介質基板的后端面齊平,所述的第一金屬地的前端面與所述的第一金屬地的后端面之間的距離為36mm; 將一對F型天線稱為第一F型天線和第二F型天線,所述的第一F型天線位于所述的第二F型天線的左側,所述的第一F型天線和所述的第二F型天線分別設置在所述的介質基板的上表面,且位于所述的第一金屬地的前側,兩者相對于所述的介質基板沿前后方向的對稱線呈左右對稱,所述的第一F型天線包括第一矩形金屬塊、第二矩形金屬塊、第三矩形金屬塊和第一端口,所述的第一矩形金屬塊、所述的第二矩形金屬塊和所述的第三矩形金屬塊均附著在所述的介質基板的上表面,所述的第一矩形金屬塊的前端面與所述的介質基板的前端面平行,所述的第一矩形金屬塊的前端面與所述的介質基板的前端面之間具有一段距離,所述的第二矩形金屬塊位于所述的第一矩形金屬塊的后側,且兩者之間具有一段距離,所述的第二矩形金屬塊平行于所述的第一矩形金屬塊,所述的第二矩形金屬塊沿左右方向的長度小于所述的第一矩形金屬塊沿左右方向的長度,所述的第二矩形金屬塊的右端面與所述的第一矩形金屬塊的右端面位于同一平面,所述的第三矩形金屬塊位于所述的第一矩形金屬塊和所述的第二矩形金屬塊的右側,所述的第三矩形金屬塊的前端面與所述的第一矩形金屬塊的前端面齊平,所述的第三矩形金屬塊的左端面與所述的第一矩形金屬塊的右端面和所述的第二矩形金屬塊的右端面貼合連接,所述的第三矩形金屬塊的后端面與位于所述的第二矩形金屬塊的后端面所在平面的后側,所述的第三矩形金屬塊的后端面與所述的第一金屬地的前端面之間具有一段距離,所述的第三矩形金屬塊的右端面與所述的介質基板沿前后方向的對稱線之間具有一段距離,所述的第一端口分別與所述的第三矩形金屬塊和所述的第一金屬地連接,所述的第一端口通過探針實現,用于對所述的第一F型天線饋電,所述的第一矩形金屬塊沿左右方向的長度為10mm,沿前后方向的寬度為1mm,所述的第二矩形金屬塊沿左右方向的長度為5mm,沿前后方向的寬度為1mm,所述的第三矩形金屬塊沿前后方向的長度為20mm,沿左右方向的寬度為1mm,所述的第一矩形金屬塊的前端面與所述的介質基板的前端面所在平面之間的距離為19mm,所述的第一矩形金屬塊的后端面與所述的第二矩形金屬塊的前端面之間的距離為7mm,所述的第三矩形金屬塊的后端面與所述的第一金屬地的前端面之間的距離為4mm;所述的第二F型天線包括第四矩形金屬塊、第五矩形金屬塊、第六矩形金屬塊和第二端口,所述的第四矩形金屬塊、所述的第五矩形金屬塊和所述的第六矩形金屬塊均附著在所述的介質基板的上表面,所述的第四矩形金屬塊的前端面與所述的第一矩形金屬塊的前端面位于同一平面,所述的第四矩形金屬塊與所述的第一矩形金屬塊相對于所述的介質基板沿前后方向的對稱線呈左右對稱,所述的第五矩形金屬塊位于所述的第四矩形金屬塊的后側,所述的第五矩形金屬塊與所述的第四矩形金屬塊相對于所述的介質基板沿前后方向的對稱線呈左右對稱,所述的第六矩形金屬塊位于所述的第四矩形金屬塊和所述的第五矩形金屬塊的左側,所述的第六矩形金屬塊的前端面與所述的第四矩形金屬塊的前端面齊平,所述的第六矩形金屬塊的右端面與所述的第四矩形金屬塊的左端面和所述的第五矩形金屬塊的左端面貼合連接,所述的第六矩形金屬塊與所述的第三矩形金屬塊相對于所述的介質基板沿前后方向的對稱線呈左右對稱,所述的第六矩形金屬塊的左端面與所述的第三矩形金屬塊的右端面之間的間距為2mm,所述的第二端口分別與所述的第六矩形金屬塊和所述的第一金屬地連接,所述的第二端口通過探針實現,用于對所述的第二F型天線饋電; 所述的去耦結構包括第二金屬地、可變電容、第七矩形金屬塊、第八矩形金屬塊、第九矩形金屬塊、第十矩形金屬塊、第十一矩形金屬塊、第十二矩形金屬塊和第十三矩形金屬塊,所述的第二金屬地通過在第十四矩形金屬塊上開設第一矩形槽實現,所述的第十四矩形金屬塊附著在所述的介質基板的下表面上,所述的第十四矩形金屬塊的后端面與所述的介質基板的后端面齊平,所述的第十四矩形金屬塊的左端面與所述的介質基板的左端面齊平,所述的第十四矩形金屬塊的右端面與所述的介質基板的右端面齊平,第十四矩形金屬塊沿前后方向的長度為56mm,第一矩形槽的前端面與所述的第十四矩形金屬塊的前端面齊平,所述的第一矩形槽沿前后方向的長度為12mm,沿左右方向的寬度為1mm,所述的第一矩形槽沿前后方向的對稱線與所述的第十四矩形金屬塊沿前后方向的對稱線重合,所述的介質基板在所述的第一矩形槽處暴露出來,所述的可變電容設置在所述的第一矩形槽處,所述的可變電容分別與所述的第十四矩形金屬塊位于所述的第一矩形槽左側的部分和右側的部分連接,且其后端與所述的第一矩形槽后端面之間的距離為10mm,所述的第二金屬地與所述的第一金屬地通過上下貫穿所述的介質基板的多個金屬化通孔連接,多個金屬化通孔從左到右沿一行均勻間隔排布,所述的第七矩形金屬塊、所述的第八矩形金屬塊和所述的第九矩形金屬塊附著在所述的介質基板的上表面,所述的第七矩形金屬塊位于所述的第三矩形金屬塊的右側,所述的第七矩形金屬塊的左端面與所述的第三矩形金屬塊的右端面平行,且兩者之間的距離為0.2mm,所述的第七矩形金屬塊的后端面與所述的第一金屬地的前端面連接其兩者呈貼合狀態,所述的第七矩形金屬塊沿前后方向的長度為15mm,沿左右方向的寬度為0.2mm,所述的第八矩形金屬塊位于所述的第六矩形金屬塊的左側,所述的第八矩形金屬塊的右端面與所述的第六矩形金屬塊的右端面平行,且兩者之間的距離為0.2mm,所述的第八矩形金屬塊的后端面與所述的第一金屬地的前端面連接其兩者呈貼合狀態,所述的第八矩形金屬塊沿前后方向的長度為15mm,沿左右方向的寬度為0.2mm,所述的第九矩形金屬塊位于所述的第七矩形金屬塊和所述的第九矩形金屬塊之間,所述的第九矩形金屬塊的左端面與所述的第七矩形金屬塊的右端面連接且呈貼合狀態,所述的第九矩形金屬塊的右端面與所述的第八矩形金屬塊的左端面連接且呈貼合狀態,所述的第九矩形金屬塊的前端面與所述的第七矩形金屬塊的前端面位于同一平面,所述的第九矩形金屬塊沿左右方向的長度為1.2mm,沿前后方向的寬度為0.2mm,所述的第十矩形金屬塊、所述的第十一矩形金屬塊、所述的第十二矩形金屬塊和所述的第十三矩形金屬塊分別附著在所述的介質基板的下表面上,所述的第十矩形金屬塊的后端面與所述的第十四矩形金屬塊的前端面連接且兩者呈貼合狀態,所述的第十矩形金屬塊的右端面與所述的第一矩形槽的左端面齊平,所述的第十一矩形金屬塊位于所述的第十矩形金屬塊的左側,所述的第十一矩形金屬塊的右端面與所述的第十矩形金屬塊的左端面連接且兩者呈貼合狀態,所述的第十一矩形金屬塊的前端面與所述的第十矩形金屬塊的前端面齊平,所述的第十矩形金屬塊沿前后方向的長度為10mm,沿左右方向的寬度為1mm,所述的第十一矩形金屬塊沿前后方向的寬度為1mm,沿左右方向的長度為2mm,所述的第十二矩形金屬塊的后端面與所述的第十四矩形金屬塊的前端面連接且兩者呈貼合狀態,所述的第十二矩形金屬塊的左端面與所述的第一矩形槽的右端面齊平,所述的第十三矩形金屬塊位于所述的第十二矩形金屬塊的右側,所述的第十三矩形金屬塊的左端面與所述的第十二矩形金屬塊的右端面連接且兩者呈貼合狀態,所述的第十三矩形金屬塊的前端面與所述的第十二矩形金屬塊的前端面齊平,所述的第十二矩形金屬塊沿前后方向的長度為10mm,沿左右方向的寬度為1mm,所述的第十三矩形金屬塊沿前后方向的寬度為1mm,沿左右方向的長度為2mm; 所述的匹配網絡包括設置在所述的第一F型天線和所述的第一端口之間的第一匹配電路以及設置在所述的第二F型天線和所述的第二端口之間的第二匹配電路,所述的第一匹配電路用于將所述的第一F型天線在高頻段和低頻段的輸出阻抗匹配到50歐姆,所述的第二匹配電路用于將所述的第二F型天線在高頻段和低頻段的輸出阻抗匹配到50歐姆。
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