華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司樊嘉祺獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司申請的專利一種重布線層結構及其構造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114068465B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111302673.9，技術領域涉及：H01L23/488；該發明授權一種重布線層結構及其構造方法是由樊嘉祺;孫鵬設計研發完成，并于2021-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種重布線層結構及其構造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及芯片封裝技術領域，提出一種重布線層結構及其構造方法。該結構包括第一聚酰亞胺層和第一重布線層，其中所述第一聚酰亞胺層具有第一過孔；一個或者多個第二聚酰亞胺層和第二重布線層，其中所述第二聚酰亞胺層具有第二過孔；以及第三聚酰亞胺層，其中所述第三聚酰亞胺層具有第三過孔；其中，所述第一過孔和第二過孔包括多個第一孔徑的小孔徑過孔，所述第三過孔包括第二孔徑的大孔徑過孔，所述第一孔徑小于所述第二孔徑。
本發明授權一種重布線層結構及其構造方法在權利要求書中公布了：1.一種重布線層結構，其特征在于，包括： 第一介質層和第一重布線層，其中所述第一介質層具有第一過孔； 一個或者多個第二介質層和第二重布線層，其中所述第二介質層具有第二過孔； 第三介質層，其中所述第三介質層具有第三過孔；以及 柱凸塊，所述柱凸塊布置于所述第三過孔處； 其中，所述第一過孔和第二過孔包括多個小孔徑過孔，所述第三過孔包括大孔徑過孔，所述小孔徑過孔的孔徑小于所述大孔徑過孔的孔徑。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新區菱湖大道200號中國傳感網國際創新園D1棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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