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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種封裝結構以及封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115911007B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111165993.4，技術領域涉及：H01L25/065；該發明授權一種封裝結構以及封裝方法是由陳小璇設計研發完成，并于2021-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種封裝結構以及封裝方法在說明書摘要公布了：本申請實施例涉及半導體封裝領域，提供一種封裝結構以及封裝方法，一種封裝結構包括：第一金屬層以及第二金屬層，第一金屬層位于電路區的第一面，第二金屬層位于支撐區的第一面；第三金屬層以及第四金屬層，第三金屬層位于電路區的第二面且與導電結構電連接，第四金屬層位于支撐區的第二面；其中，至少兩個堆疊設置的半導體結構中的一個半導體結構的第一面與其相鄰的另一半導體結構的第二面正對，且半導體結構的第一金屬層與處于相鄰層的半導體結構的第三金屬層接觸鍵合，半導體結構的第二金屬層與處于相鄰層的半導體結構的第四金屬層接觸鍵合，可以解決集成電路中熱問題。

本發明授權一種封裝結構以及封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種封裝方法，其特征在于，包括： 提供至少兩個半導體結構，形成所述半導體結構的工藝步驟包括：提供初始半導體結構，所述初始半導體結構包括相對的第一面和第二面，且所述初始半導體結構包括電路區以及支撐區，所述電路區的所述初始半導體結構內具有導電結構；在所述初始半導體結構的第一面形成第一金屬膜，圖形化位于所述電路區的所述第一金屬膜，剩余的所述電路區的所述第一金屬膜作為所述第一金屬層，位于所述支撐區的所述第一金屬膜作為所述第二金屬層；在所述初始半導體結構的第二面形成第二金屬膜，圖形化位于所述電路區的所述第二金屬膜，剩余的所述電路區的所述第二金屬膜作為所述第三金屬層，位于所述支撐區的所述第二金屬膜作為所述第四金屬層； 每一所述半導體結構包括相對的第一面和第二面，且所述半導體結構包括電路區以及支撐區，所述電路區的所述半導體結構內具有導電結構；所述半導體結構還包括： 第一金屬層以及第二金屬層，所述第一金屬層位于所述電路區的第一面，所述第二金屬層位于所述支撐區的第一面； 第三金屬層以及第四金屬層，所述第三金屬層位于所述電路區的第二面且與所述導電結構電連接，第四金屬層位于所述支撐區的第二面； 對至少兩個所述半導體結構進行鍵合處理，以使所述至少兩個所述半導體結構中的一個所述半導體結構的所述第一面與其相鄰的另一所述半導體結構的所述第二面正對，且所述半導體結構的第一金屬層與處于相鄰層的所述半導體結構的第三金屬層接觸鍵合，所述半導體結構的第二金屬層與處于相鄰層的所述半導體結構的第四金屬層接觸鍵合。

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