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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115706073B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110935828.6，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權半導體結構及其制造方法是由李宗翰;劉志拯設計研發完成，并于2021-08-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請實施例公開了一種半導體結構及其制造方法。該半導體結構包括：半導體襯底；第一金屬層，位于所述半導體襯底表面；第二金屬層，位于所述第一金屬層表面的上方；絕緣層，位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間，用于隔離所述第一金屬層和第二金屬層；測試通孔，貫穿所述絕緣層并通過所述測試通孔中的導電材料連接所述第一金屬層和所述第二金屬層；至少一對虛設通孔，貫穿所述絕緣層并連接所述第一金屬層或所述第二金屬層中的任意一層。

本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于， 包括： 半導體襯底； 第一金屬層，位于所述半導體襯底表面； 第二金屬層，位于所述第一金屬層表面的上方； 絕緣層，位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間，用于隔離所述第一金屬層和第二金屬層； 測試通孔，貫穿所述絕緣層并通過所述測試通孔中的導電材料連接所述第一金屬層和所述第二金屬層； 至少一對虛設通孔，貫穿所述絕緣層并連接所述第一金屬層或所述第二金屬層中的任意一層； 所述第一金屬層包括：沿第一方向平行分布的多條底層金屬線； 所述第二金屬層包括：沿第二方向平行分布的多條頂層金屬線；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向； 所述至少一對虛設通孔中包括至少兩對所述虛設通孔與所述測試通孔連接不同的所述頂層金屬線，所述至少一對虛設通孔中包括至少兩對所述虛設通孔與所述測試通孔連接不同的所述底層金屬線； 多條所述底層金屬線中的至少兩條所述底層金屬線包括至少兩條間隔設置的金屬線段，相鄰兩條所述金屬線段之間為間隔區； 所述虛設通孔頂端與所述頂層金屬線連接，且所述虛設通孔底端與所述間隔區連接。

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