買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉廈門三安光電有限公司申請的專利一種外延結(jié)構(gòu)和發(fā)光二極管獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115377262B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211048309.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/816；該發(fā)明授權(quán)一種外延結(jié)構(gòu)和發(fā)光二極管是由葉大千設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-07-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種外延結(jié)構(gòu)和發(fā)光二極管在說明書摘要公布了：本申請公開一種外延結(jié)構(gòu)和發(fā)光二極管，包括n型層、p型層和有源層，有源層包括In的具有第一峰形的第一濃度輪廓；重摻雜層位于n型層和有源層之間，且包括Si的具有第二峰形的第二濃度輪廓；電流擴展層位于重摻雜層和有源層之間，且包括In的具有第三峰形的第三濃度輪廓；第三峰形的峰頂與第一峰形的峰頂?shù)淖钚【嚯x為D1，第三峰形的峰頂與第二峰形的峰頂?shù)淖钚【嚯x為D2，且D1與D2的比值小于1:7。電流擴展層盡可能接近有源層并在受到靜電沖擊時有效引導(dǎo)沖擊電流，保護有源層不易被靜電擊穿；同時，電流擴展層與重摻雜層之間的區(qū)域為電子存儲區(qū)，在受到靜電沖擊時可降低外延結(jié)構(gòu)被靜電擊穿的風(fēng)險，從而提升外延結(jié)構(gòu)和發(fā)光二極管的抗靜電能力。

本發(fā)明授權(quán)一種外延結(jié)構(gòu)和發(fā)光二極管在權(quán)利要求書中公布了：1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括： n型層、p型層和位于兩者之間的有源層，所述有源層包括In的第一濃度輪廓，所述第一濃度輪廓包括若干個第一峰形； 電流擴展層，位于所述n型層和有源層之間，且包括In的第三濃度輪廓，所述第三濃度輪廓包括若干個第三峰形，所述第三峰形的峰頂與所述第一峰形的峰頂?shù)淖钚【嚯x為D1，其中D1小于20nm； 第一中間層，位于所述電流擴展層與有源層之間； 重摻雜層，位于所述n型層和電流擴展層之間，且包括Si的第二濃度輪廓，第二濃度輪廓包括第二峰形，第三峰形的峰頂與第二峰形的峰頂?shù)淖钚【嚯x為D2，其中D2大于150nm； 低摻雜層，位于所述n型層與重摻雜層之間； 所述電流擴展層和重摻雜層之間包括有第二中間層，所述第二中間層的厚度小于所述第三峰形的峰頂與所述第二峰形的峰頂?shù)淖钚【嚯xD2。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廈門三安光電有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)鎮(zhèn)民安大道841-899號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。