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龍圖騰網(wǎng)獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體存儲裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114203716B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110006567.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B43/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲裝置是由永嶋賢史;荒井史隆設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體存儲裝置在說明書摘要公布了：實施方式提供一種抑制存儲單元的倒塌并且使集成密度提高的半導(dǎo)體存儲裝置。實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：第1積層體，沿著第1方向積層；第2積層體，沿著第1方向積層；及第1結(jié)構(gòu)體，包含至少1個存儲器結(jié)構(gòu)體，且設(shè)置在第1積層體與第2積層體之間。至少1個存儲器結(jié)構(gòu)體包含第1半導(dǎo)體膜、第1電荷蓄積膜、第2半導(dǎo)體膜及第2電荷蓄積膜，第1積層體及第2積層體分別包含：第1部分、第2部分及第3部分，分別沿著與第1方向交叉的第2方向延伸，其中，第1部分在與第1方向及第2方向交叉的第3方向上設(shè)置在第2部分與第3部分之間；第4部分，將第1部分與第2部分連接；及第5部分，將第1部分與第3部分連接；且第1積層體的第2部分在第3方向上設(shè)置在第2積層體的第1部分與第2積層體的第3部分之間。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具備： 第1積層體，包含沿著第1方向積層的多個第1導(dǎo)電體； 第2積層體，包含沿著所述第1方向積層的多個第2導(dǎo)電體；及 第1結(jié)構(gòu)體，包含至少1個存儲器結(jié)構(gòu)體，且設(shè)置在所述第1積層體與所述第2積層體之間； 所述至少1個存儲器結(jié)構(gòu)體包含： 第1半導(dǎo)體膜及第2半導(dǎo)體膜，分別沿著所述第1方向延伸； 第1電荷蓄積膜，在所述第1積層體與所述第1半導(dǎo)體膜之間沿著所述第1方向延伸；及 第2電荷蓄積膜，在所述第2積層體與所述第2半導(dǎo)體膜之間沿著所述第1方向延伸； 所述第1積層體及所述第2積層體分別包含： 第1部分、第2部分及第3部分，分別沿著與所述第1方向交叉的第2方向延伸，其中，所述第1部分在與所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上設(shè)置在所述第2部分與所述第3部分之間； 第4部分，將所述第1部分與所述第2部分連接；及 第5部分，將所述第1部分與所述第3部分連接；且 所述第1積層體的所述第2部分在所述第3方向上設(shè)置在所述第2積層體的所述第1部分與所述第2積層體的所述第3部分之間。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人鎧俠股份有限公司，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。