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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江馳拓科技有限公司申請(qǐng)的專利一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結(jié)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114695649B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011622212.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/10；該發(fā)明授權(quán)一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結(jié)是由孫一慧;孟凡濤;簡(jiǎn)紅;宮俊錄設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結(jié)在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于磁阻器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結(jié)。本發(fā)明提供的自由層設(shè)置于勢(shì)壘層上，包括至少兩層磁性層，相鄰磁性層之間設(shè)置有耦合層；每層所述磁性層均采用磁控濺射沉積而成；與所述勢(shì)壘層相接觸的磁性層在至少兩種不同的磁控濺射功率下沉積形成，且在近勢(shì)壘層一側(cè)的磁控濺射功率最小。本發(fā)明在傳統(tǒng)自由層結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上通過降低臨近勢(shì)壘層的磁性層沉積功率，可以在保持磁性層厚度不變的條件下，大幅提升自由層垂直磁各向異性場(chǎng)Hk，減小界面損傷，提升MRAM的數(shù)據(jù)保持能力dataretention。

本發(fā)明授權(quán)一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結(jié)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MRAM的自由層，設(shè)置于勢(shì)壘層上，其特征在于，包括至少兩層磁性層，相鄰磁性層之間設(shè)置有耦合層； 每層所述磁性層均采用磁控濺射沉積而成； 與所述勢(shì)壘層相接觸的磁性層在至少兩種不同的磁控濺射功率下沉積形成，且在近勢(shì)壘層一側(cè)的磁控濺射功率最?。?與所述勢(shì)壘層相接觸的磁性層在近勢(shì)壘層一側(cè)的磁控濺射功率為10～150W；與所述勢(shì)壘層相接觸的磁性層中在最小磁控濺射功率下沉積的厚度為0.1～0.5nm。

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