鴻基創能科技(廣州)有限公司鄒渝泉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉鴻基創能科技(廣州)有限公司申請的專利一種膜電極封裝結構及封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111477912B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010485313.6，技術領域涉及：H01M8/0273；該發明授權一種膜電極封裝結構及封裝方法是由鄒渝泉;吳力杰;唐軍柯;葉思宇;楊云松;孫寧設計研發完成，并于2020-06-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種膜電極封裝結構及封裝方法在說明書摘要公布了：本發明涉及燃料電池領域，具體涉及一種膜電極封裝結構及封裝方法。該種膜電極封裝結構包括頂面氣體擴散層和底面氣體擴散層，兩個氣體擴散層之間夾有相互層疊的邊框和催化劑涂布膜，催化劑涂布膜粘接固定在邊框頂面，邊框僅有一個，邊框頂面供催化劑涂布膜粘接的部位凹陷，催化劑涂布膜粘接在凹陷處的底壁上，凹陷處的內側壁封堵住催化劑涂布膜的周圍。該封裝結構可以降低生產成本，降低密封區域漏氣風險。
本發明授權一種膜電極封裝結構及封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種膜電極封裝結構，包括頂面氣體擴散層和底面氣體擴散層，兩個氣體擴散層之間夾有相互層疊的邊框和催化劑涂布膜，催化劑涂布膜粘接固定在邊框頂面，其特征是邊框僅有一個，邊框頂面供催化劑涂布膜粘接的部位凹陷，催化劑涂布膜粘接在凹陷處的底壁上，凹陷處的內側壁封堵住催化劑涂布膜的周圍；催化劑涂布膜通過第一粘接劑層粘接在凹陷處的底壁上，凹陷處底壁上的第一粘接劑層厚度3~20μm，頂面氣體擴散層通過第二粘接劑層粘接在邊框頂面的非凹陷處并覆蓋催化劑涂布膜的頂面，凹陷處的內側壁與第二粘接劑層兩者的厚度值之和不小于第一粘接劑層與催化劑涂布膜兩者的厚度值之和，從而使得頂面氣體擴散層整體平整地粘接在邊框上，底面氣體擴散層粘接在邊框底面。
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