全球能源互聯網研究院有限公司;國家電網有限公司;國網江蘇省電力有限公司電力科學研究院;電子科技大學金銳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉全球能源互聯網研究院有限公司;國家電網有限公司;國網江蘇省電力有限公司電力科學研究院;電子科技大學申請的專利一種高壓功率半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113675257B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010410064.4，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種高壓功率半導體器件是由金銳;劉江;吳軍民;高明超;張金平;張波設計研發完成，并于2020-05-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高壓功率半導體器件在說明書摘要公布了：本發明涉及一種高壓功率半導體器件結終端結構，包括：元胞結構和終端結構；在所述元胞結構上部具有弧形槽，所述終端結構包括多種不同導電類型的摻雜條；各不同導電類型的摻雜條相間設置于所述元胞結構上部的槽中，本發明有效解決了傳統結終端擴展終端結構的工藝容差小，工藝復雜，終端耐壓小，可靠性低的問題。
本發明授權一種高壓功率半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種高壓功率半導體器件，其特征在于，包括元胞結構和終端結構；在所述元胞結構上部具有弧形槽； 所述終端結構包括多種不同導電類型的摻雜條；各不同導電類型的摻雜條相間設置于所述元胞結構上部的槽中； 所述元胞結構包括金屬化陽極4和第二導電類型半導體區1； 所述第二導電類型半導體區1設置于所述元胞結構上部邊緣，所述金屬化陽極4覆蓋于所述第二導電類型半導體區1上； 所述終端結構還包括截止環8，所述截止環8位于所述元胞結構弧形槽的底部； 所述摻雜條配合所述弧形槽的形狀設置于所述第二導電類型半導體區1和截止環8之間； 所述摻雜條包括第一導電類型摻雜條11和第二導電類型摻雜條12； 所述第一導電類型摻雜條11在靠近所述金屬化陽極4位置的面積大于靠近所述截止環8位置的面積；所述第二導電類型摻雜條12在靠近所述金屬化陽極4位置的面積小于靠近所述截止環8位置的面積； 所述第一導電類型摻雜條11和所述第二導電類型摻雜條12濃度相同，導電類型不同。
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