微芯片技術股份有限公司V·恩古延獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉微芯片技術股份有限公司申請的專利具有雙字線控制的ReRAM存儲器單元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113678202B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980095051.8，技術領域涉及：G11C13/00；該發明授權具有雙字線控制的ReRAM存儲器單元是由V·恩古延;F·扎維;J·L·麥科勒姆;薛豐良設計研發完成，并于2019-07-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有雙字線控制的ReRAM存儲器單元在說明書摘要公布了：本發明公開了一種ReRAM存儲器單元，該ReRAM存儲器單元包括ReRAM裝置，該ReRAM裝置包括設置在第一離子源電極和第二電極之間的固體電解質層；和選擇電路，該選擇電路包括與ReRAM裝置串聯連接的兩個串聯連接的選擇晶體管，該兩個串聯連接的選擇晶體管中的每個選擇晶體管具有連接到單獨控制線的柵極。
本發明授權具有雙字線控制的ReRAM存儲器單元在權利要求書中公布了：1.一種ReRAM存儲器單元，包括： ReRAM裝置，所述ReRAM裝置包括設置在第一離子源電極和第二電極之間的固體電解質層； 兩個串聯連接的選擇晶體管，所述兩個串聯連接的選擇晶體管與所述ReRAM裝置串聯連接，所述兩個串聯連接的選擇晶體管中的每個選擇晶體管具有連接到單獨控制線的柵極， 其中，當所述ReRAM存儲器單元未被選擇用于編程時，所述兩個串聯連接的選擇晶體管的柵極-漏極電壓相等并且為所施加的編程電壓的一半。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人微芯片技術股份有限公司，其通訊地址為：美國亞利桑那州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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