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龍圖騰網(wǎng)獲悉華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種檢測(cè)電路及傳感器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114127915B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980098408.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)一種檢測(cè)電路及傳感器是由曾秋玲;劉燕翔;陳贊鋒;夏禹設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-07-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種檢測(cè)電路及傳感器在說明書摘要公布了：一種檢測(cè)電路，用于檢測(cè)應(yīng)力對(duì)電特性的影響，該檢測(cè)電路包括：PMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)101、NMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)102和頻率讀取模塊103；PMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)101的信號(hào)路徑中的PMOS管數(shù)量大于NMOS管數(shù)量；NMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)102的信號(hào)路徑中的NMOS管數(shù)量大于PMOS管數(shù)量；頻率讀取模塊103用于讀取PMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)101或NMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)102輸出的頻率信號(hào)。該NMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)102輸出的頻率信號(hào)表征應(yīng)力對(duì)NMOS管的電特性影響，PMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)101輸出的頻率信號(hào)表征應(yīng)力對(duì)PMOS管的電特性影響。可以根據(jù)應(yīng)力對(duì)NMOS管的影響以及PMOS管的影響改善電路的制造工藝，以減少應(yīng)力對(duì)電路的電特性的影響。

本發(fā)明授權(quán)一種檢測(cè)電路及傳感器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種檢測(cè)電路，其特征在于，包括： PMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)、NMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)和頻率讀取模塊； 所述PMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)的信號(hào)路徑中的PMOS管數(shù)量大于NMOS管數(shù)量； 所述NMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)的信號(hào)路徑中的NMOS管數(shù)量大于PMOS管數(shù)量； 所述頻率讀取模塊用于讀取所述PMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)或所述NMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)輸出的頻率信號(hào)，所述PMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)輸出的頻率信號(hào)表征應(yīng)力對(duì)PMOS管的電特性影響，所述NMOS管主導(dǎo)自振蕩環(huán)輸出的頻率信號(hào)表征應(yīng)力對(duì)NMOS管的電特性影響。

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