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龍圖騰網獲悉微玖(蘇州)光電科技有限公司申請的專利一種具有直角或近直角側壁的Micro LED制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120435123B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510920444.5，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種具有直角或近直角側壁的Micro LED制備方法是由余鹿鳴;王月;黃振;張宇;王程功;鄭鵬遠設計研發完成，并于2025-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有直角或近直角側壁的Micro LED制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種具有直角或近直角側壁的MicroLED制備方法，包括以下步驟：S1，在外延層表面沉積掩膜層；S2，使用掩膜版，得到圖形化光刻膠；S3，刻蝕掩膜層，去膠后得到圖形化掩膜層；S4，采用改進的ICP工藝刻蝕外延層；S5，采用可動態調整角度的旋轉樣品臺，沉積鈍化層；S6，使用掩膜版，得到圖形化光刻膠；S7，刻蝕鈍化層，去膠后得到圖形化鈍化層；S8，使用掩膜版，得到圖形化光刻膠；S9，鍍金屬層，經去膠與金屬抬離后得到圖形化的正負電極結構；本申請通過采用改進的膜層沉積工藝與ICP刻蝕工藝，成功解決了MicroLED臺面側壁無法采用大角度設計的問題；能夠實現更小的像素間距，并且工藝不受外延片厚度的影響，制備出性能更優的MicroLED顯示產品。

本發明授權一種具有直角或近直角側壁的Micro LED制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有直角或近直角側壁的MicroLED制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1，在外延層表面沉積厚度為預設范圍的掩膜層； S2，在所述掩膜層上旋涂光刻膠，經固化、紫外曝光和顯影處理，使用具有周期排列圖形的掩膜版，得到圖形化光刻膠； S3，以所述圖形化光刻膠為掩膜，采用等離子體刻蝕工藝刻蝕掩膜層，去膠后得到圖形化掩膜層； S4，以所述圖形化掩膜層為掩膜，采用改進的ICP工藝刻蝕外延層，所述改進的ICP工藝包括： S4.1，第一步刻蝕：使用刻蝕氣體對外延層進行刻蝕； S4.2，鈍化層沉積：采用可動態調整角度的旋轉樣品臺，通過化學氣相沉積工藝沉積鈍化層； S4.3，第二步刻蝕：使用刻蝕氣體繼續刻蝕外延層，得到目標角度的MicroLED臺面； S5，采用所述可動態調整角度的旋轉樣品臺，通過化學氣相沉積工藝沉積厚度為預設范圍的鈍化層； S6，在所述鈍化層上旋涂光刻膠，經固化、紫外曝光和顯影處理，使用具有周期排列圖形的掩膜版，得到圖形化光刻膠； S7，以所述圖形化光刻膠為掩膜刻蝕鈍化層，去膠后得到圖形化鈍化層； S8，在所述圖形化鈍化層上旋涂光刻膠，經固化、紫外曝光和顯影處理，使用具有周期排列圖形的掩膜版，得到圖形化光刻膠； S9，采用物理氣相沉積工藝鍍金屬層，經去膠與金屬抬離后得到圖形化的正負電極結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人微玖(蘇州)光電科技有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區雙溇里路3號合木·傳奇大廈816室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。