中國科學院微電子研究所王然獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利二次諧波表征方法、基于其的表征光學系統及檢測裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114577726B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210249154.9,技術領域涉及:G01N21/01;該發明授權二次諧波表征方法、基于其的表征光學系統及檢測裝置是由王然;李博;王磊;張喆;張昆鵬;趙泓達;岳嵩;張學文;張紫辰設計研發完成,并于2022-03-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本二次諧波表征方法、基于其的表征光學系統及檢測裝置在說明書摘要公布了:本發明提供了一種二次諧波表征方法、基于其的表征光學系統及檢測裝置,該二次諧波表征方法在待檢測樣品表面選取掃描點位之后,通過調諧基頻光的波長從第一設定波長連續調諧至第二設定波長,且在每次調諧基頻光的波長之后,均向掃描點位入射波長調諧后的基頻光,并收集根據波長調諧后的基頻光產生的二次諧波信號;然后根據收集的二次諧波信號,繪制二次諧波信號非線性光譜。通過二次諧波信號非線性光譜,能夠得出該掃描點位在此掃描過程中的不同缺陷類型、不同缺陷類型的缺陷能級、以及不同缺陷類型所對應的基頻光波長。并利用二次諧波對較低缺陷密度進行有效表征,且能夠有針對性的提取待檢測樣品的相關參數,縮短提取器件相關參數耗時。
本發明授權二次諧波表征方法、基于其的表征光學系統及檢測裝置在權利要求書中公布了:1.一種二次諧波表征方法,其特征在于,包括: 步驟1:在待檢測樣品表面選取掃描點位; 步驟2:向所述掃描點位入射第一設定波長的基頻光;所述基頻光入射到所述待檢測樣品之后能夠產生攜帶樣品缺陷信息的二次諧波信號,且所述二次諧波信號沿著所述待檢測樣品表面反射出的光束方向射出; 步驟3:收集所述二次諧波信號; 步驟4:將所述基頻光按照預設步進由所述第一設定波長連續調諧至第二設定波長;且在每次調諧所述基頻光的波長之后,均向所述掃描點位入射波長調諧后的基頻光,并收集根據所述波長調諧后的基頻光產生的二次諧波信號; 步驟5:根據收集的所述二次諧波信號,繪制二次諧波信號非線性光譜; 所述方法還包括: 根據所述二次諧波信號非線性光譜,將強度超過第一預設閾值時的二次諧波信號所對應的波長作為掃描波長; 在所述待檢測樣品表面依次選取其他的掃描點位,并在每選取一個掃描點位之后,均采用所述掃描波長的基頻光入射到該掃描點位,并收集根據所述掃描波長的基頻光產生的二次諧波信號。
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