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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所申請(qǐng)的專(zhuān)利基于改進(jìn)的HALT試驗(yàn)的模擬集成電路可靠性試驗(yàn)方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114371393B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210029935.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/3181；該發(fā)明授權(quán)基于改進(jìn)的HALT試驗(yàn)的模擬集成電路可靠性試驗(yàn)方法是由吳兆希;羅俊;譚驍洪;林震;岑政;李勝玉;余航設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本基于改進(jìn)的HALT試驗(yàn)的模擬集成電路可靠性試驗(yàn)方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種基于改進(jìn)的HALT試驗(yàn)的模擬集成電路可靠性試驗(yàn)方法，包括在常溫、最低和最高工作溫度對(duì)模擬集成電路樣品進(jìn)行電性能測(cè)試；依次使環(huán)境溫度從常溫開(kāi)始向低溫工作極限溫度和高溫工作極限溫度步進(jìn)，并進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)試；找到變化幅度最大的參數(shù)作為敏感參數(shù)，并找出敏感參數(shù)變化最大時(shí)對(duì)應(yīng)的溫度TA；在溫度TA對(duì)模擬集成電路樣品進(jìn)行溫度應(yīng)力累積試驗(yàn)；在最低和最高工作溫度之間進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)；在常溫下對(duì)模擬集成電路樣品的敏感參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并與之前的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。本發(fā)明中，對(duì)傳統(tǒng)的HALT試驗(yàn)技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，能夠更準(zhǔn)確、高效率地激發(fā)出模擬集成電路的潛在缺陷，為產(chǎn)品的設(shè)計(jì)改進(jìn)提供依據(jù)，提高產(chǎn)品的可靠性水平。

本發(fā)明授權(quán)基于改進(jìn)的HALT試驗(yàn)的模擬集成電路可靠性試驗(yàn)方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種基于改進(jìn)的HALT試驗(yàn)的模擬集成電路可靠性試驗(yàn)方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、分別在常溫、規(guī)范規(guī)定的最低工作溫度TL0和規(guī)范規(guī)定的最高工作溫度TH0的環(huán)境下對(duì)模擬集成電路樣品進(jìn)行電性能測(cè)試； S2、設(shè)定低溫極限偏離溫度T0，以TL0-T0的溫度作為模擬集成電路樣品的低溫工作極限溫度TL1，使環(huán)境溫度從常溫開(kāi)始向TL1步進(jìn)，并在步進(jìn)過(guò)程的每一溫度點(diǎn)穩(wěn)定第一預(yù)設(shè)時(shí)間后對(duì)模擬集成電路樣品的電性能參數(shù)進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)試；其中，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為1h～2h； S3、設(shè)定高溫極限偏離溫度T1，以TH0+T1的溫度作為模擬集成電路樣品的高溫工作極限溫度TH1，使環(huán)境溫度從常溫開(kāi)始向TH1步進(jìn)，并在步進(jìn)過(guò)程的每一溫度點(diǎn)穩(wěn)定第二預(yù)設(shè)時(shí)間后對(duì)模擬集成電路樣品的電性能參數(shù)進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)試； S4、根據(jù)S2步驟和S3步驟的測(cè)試結(jié)果將模擬集成電路樣品在線(xiàn)測(cè)試的電性能參數(shù)分別繪制變化曲線(xiàn)，找到試驗(yàn)過(guò)程中變化幅度最大的參數(shù)作為敏感參數(shù)，并找出敏感參數(shù)變化最大時(shí)對(duì)應(yīng)的溫度TA； S5、在溫度TA對(duì)模擬集成電路樣品進(jìn)行溫度應(yīng)力累積試驗(yàn)，并在試驗(yàn)過(guò)程中對(duì)模擬集成電路樣品的敏感參數(shù)進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)試；其中，在溫度TA對(duì)模擬集成電路樣品進(jìn)行溫度應(yīng)力累積試驗(yàn)的持續(xù)時(shí)間為24h～72h； S6、進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)；使環(huán)境溫度在TL0和TH0之間以預(yù)設(shè)的溫度變化速率循環(huán)變化預(yù)定的次數(shù)，且當(dāng)環(huán)境溫度為T(mén)L0或TH0時(shí)停留第三預(yù)設(shè)時(shí)間并對(duì)模擬集成電路樣品的敏感參數(shù)進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)試； S7、在常溫下對(duì)模擬集成電路樣品的敏感參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并與S1步驟中模擬集成電路樣品的敏感參數(shù)在常溫下測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比； S8、結(jié)束可靠性試驗(yàn)。

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