華虹半導體(無錫)有限公司王進峰獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利存儲器結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361167B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210006252.X，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權存儲器結構及其形成方法是由王進峰;張劍;熊偉;陳華倫設計研發完成，并于2022-01-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種存儲器結構及其形成方法，其中存儲器結構包括：襯底；位于所述襯底上的兩個相互分立的浮柵結構，兩個所述浮柵結構之間具有第一開口，所述浮柵結構包括第一浮柵部、以及位于所述第一浮柵部上的第二浮柵部，所述第一開口暴露出所述第一浮柵部的側壁和所述第二浮柵部的側壁，且所述第一浮柵部的側壁相對于所述第二浮柵部的側壁凹陷；位于每個所述浮柵結構上的控制柵結構，兩個所述控制柵結構之間具有第二開口；位于所述第一開口和所述第二開口內的字線結構。由于所述第二浮柵部相對于所述第一浮柵部是錯位堆疊，使得后續形成的字線結構在包覆所述浮柵結構的側壁時，會與所述第二浮柵部之間形成三個擦除位點，以提升存儲器結構的擦除性能。
本發明授權存儲器結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括存儲單元區； 位于所述存儲單元區上的兩個相互分立的浮柵結構，兩個所述浮柵結構之間具有第一開口，所述浮柵結構包括第一浮柵部、以及位于所述第一浮柵部上的第二浮柵部，所述第一開口暴露出所述第一浮柵部的側壁和所述第二浮柵部的側壁，且所述第一浮柵部的側壁相對于所述第二浮柵部的側壁凹陷； 位于每個所述浮柵結構上的控制柵結構，兩個所述控制柵結構之間具有第二開口，所述第二開口暴露出所述第一開口； 位于所述第一開口和所述第二開口內的字線結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華虹半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區新洲路30號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號