廣州方邦電子股份有限公司;珠海達創電子有限公司張美娟獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣州方邦電子股份有限公司;珠海達創電子有限公司申請的專利電磁屏蔽膜及電路板獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116367522B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111616021.2,技術領域涉及:H05K9/00;該發明授權電磁屏蔽膜及電路板是由張美娟;蘇陟;喻建國;周街勝設計研發完成,并于2021-12-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本電磁屏蔽膜及電路板在說明書摘要公布了:本發明公開一種電磁屏蔽膜及電路板,其中,電磁屏蔽膜包括第一絕緣層、屏蔽層和導電膠膜層,導電膠膜層具有相對設置的第一側面和第二側面,第一側面用于與電路板的第二絕緣層貼合,第二側面設置有屏蔽層,第一絕緣層包括絕緣基層,絕緣基層設置在屏蔽層的第一側面,絕緣基層的邊緣朝向導電膠膜層所在的側面延伸形成遮擋圍壁,遮擋圍壁的內側面貼合并遮擋屏蔽層和導電膠膜層的側邊。本發明的電磁屏蔽膜結構簡單,不會溢膠,有效防止短路的情況發生,且層與層之間的結合強度高,不易發生分離。
本發明授權電磁屏蔽膜及電路板在權利要求書中公布了:1.一種電磁屏蔽膜,其特征在于,包括第一絕緣層、屏蔽層和導電膠膜層,所述導電膠膜層具有相對設置的第一側面和第二側面,其中,所述第一側面用于與電路板的第二絕緣層貼合,所述第二側面設置有所述屏蔽層,所述第一絕緣層包括絕緣基層,所述絕緣基層設置在所述屏蔽層的所述第一側面,所述絕緣基層的邊緣朝向所述導電膠膜層所在的側面延伸形成遮擋圍壁,所述遮擋圍壁的內側面貼合并遮擋所述屏蔽層和所述導電膠膜層的側邊; 所述遮擋圍壁遠離所述絕緣基層的一端朝向所述遮擋圍壁的中心延伸有限位層,所述限位層上設置有避讓孔,所述導電膠膜層包括膠膜基層,所述膠膜基層夾設在所述限位層與所述屏蔽層之間,所述導電膠膜層還包括與所述膠膜基層連接的填充層,所述填充層填充所述避讓孔; 所述填充層遠離所述膠膜基層的一側面與所述屏蔽層之間的距離為H1,所述限位層遠離所述膠膜基層的一側面與所述屏蔽層之間的距離為H2,H1≤H2。
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