南亞科技股份有限公司林瑄智獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利半導體存儲器裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114373763B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111175050.X,技術領域涉及:H10B12/00;該發明授權半導體存儲器裝置是由林瑄智設計研發完成,并于2021-10-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲器裝置在說明書摘要公布了:一種半導體存儲器裝置包括基板、多個接合墊、第一導電層、多個第一電容器、多個第二電容器、第二導電層與多個第三電容器。基板具有主動區。主動區具有第一區、第二區與第三區。第三區圍繞第一區。第二區圍繞第一區與第三區。接合墊設置在第一區上。第一導電層設置于第二區上。第一電容器分別設置于接合墊上。第二電容器配置于第一導電層上。第二導電層配置于第二電容器上。第三電容器配置于第三區。第二導電層不與第三電容器電性連接。如此,能夠減少信號噪聲雜訊。
本發明授權半導體存儲器裝置在權利要求書中公布了:1.一種半導體存儲器裝置,其特征在于,包括: 基板,具有主動區,其中該主動區具有第一區、第二區與第三區,該第三區圍繞該第一區,該第二區圍繞該第一區與該第三區; 復數個接合墊,設置在該第一區與該第三區上; 第一導電層,設置在該第二區上; 復數個第一電容器,分別設置在該第一區的該些接合墊上; 復數個第二電容器,設置在該第一導電層上; 第二導電層,設置在該些第二電容器上;以及 復數個第三電容器,分別設置在該第三區的該些接合墊上,其中該第二導電層不電性連接于該些第三電容器。
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