陳政委獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉陳政委申請的專利一種用于氧化鎵晶體生長的模具及氧化鎵晶體的生長方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114457414B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110790896.8，技術領域涉及：C30B15/34；該發明授權一種用于氧化鎵晶體生長的模具及氧化鎵晶體的生長方法是由陳政委;胡開朋;呂進;辛澤文;鄧德輝;趙德剛;吳忠亮設計研發完成，并于2021-07-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于氧化鎵晶體生長的模具及氧化鎵晶體的生長方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種用于氧化鎵晶體生長的模具及氧化鎵晶體的生長方法。其中，一種用于氧化鎵晶體生長的模具包括：兩個模具板，兩個模具板間隔設置并在兩個模具板之間形成間隙，并且每個模具板上端的橫截面為非直角的平行四邊形結構。該模具所設計的平行四邊形結構與晶體生長的形貌完全貼合，減小了應力的產生，從而保障了（001）面氧化鎵晶體的穩定生長，有效避免了氧化鎵晶體生長失敗以及提高了生長出的（001）面氧化鎵晶體的質量，并且，所設計的向外突出的圓弧形結構又實現了較大的徑向溫度梯度，使得晶體放肩速度得到有效控制，使晶體內部原子有充足的時間規則排列，從而解決了（001）面氧化鎵晶體生長容易產生多晶的問題。
本發明授權一種用于氧化鎵晶體生長的模具及氧化鎵晶體的生長方法在權利要求書中公布了：1.一種用于氧化鎵晶體生長的模具，其特征在于，包括：兩個模具板（10），所述兩個模具板（10）間隔設置并在所述兩個模具板（10）之間形成間隙（20），并且每個所述模具板（10）上端的橫截面為非直角的平行四邊形結構； 所述模具板（10）上端的橫截面的一內角為100°~105°，間隙（20）為0.3mm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人陳政委，其通訊地址為：100089 北京市海淀區西土城路10號5；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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