三星電子株式會社林根元獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利具有堆疊結構的半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112117277B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010391986.5，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權具有堆疊結構的半導體裝置是由林根元設計研發完成，并于2020-05-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有堆疊結構的半導體裝置在說明書摘要公布了：提供了一種具有堆疊結構的半導體裝置。所述半導體裝置包括：基底，具有單元陣列區和墊區；堆疊結構，包括交替地堆疊在基底上并且在墊區中具有階梯形狀的柵電極和成型絕緣層；第一分離區，在墊區中穿透堆疊結構，在第一方向上延伸，并且包括第一虛設絕緣層和第二虛設絕緣層，第一虛設絕緣層覆蓋第一分離區的側壁并且包括覆蓋柵電極的部分的水平部分，并且第二虛設絕緣層設置在第一虛設絕緣層之間；延伸部分，在垂直于第一方向的第二方向上從第一虛設絕緣層朝向成型絕緣層延伸；第二分離區，劃分堆疊結構并且在第一方向上延伸；以及單元接觸插塞，穿透水平部分并且連接到柵電極。
本發明授權具有堆疊結構的半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括： 基底，具有單元陣列區和墊區； 堆疊結構，包括交替地堆疊在所述基底上并且在所述墊區中具有階梯形狀的柵電極和成型絕緣層； 多個第一分離區，豎直地穿透所述堆疊結構，在所述墊區中在第一方向上延伸，在垂直于所述第一方向的第二方向上并排設置，并且包括第一虛設絕緣層和第二虛設絕緣層，其中，所述第一虛設絕緣層覆蓋所述多個第一分離區的內側壁并且包括覆蓋所述柵電極中的上柵電極的上表面的部分的水平部分，并且所述第二虛設絕緣層設置在所述第一虛設絕緣層之間； 延伸部分，在所述第二方向上從所述第一虛設絕緣層朝向所述成型絕緣層延伸；以及 多個第二分離區，將所述堆疊結構劃分為多個區域，并且在所述第一方向上延伸，并且 其中，所述多個第一分離區中的每個在所述第一方向上設置有多個單元接觸插塞，并且所述多個單元接觸插塞在所述第一虛設絕緣層中穿透所述水平部分，并且連接到所述柵電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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