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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利集成芯片及形成晶體管裝置的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112993037B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011439824.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/65；該發(fā)明授權(quán)集成芯片及形成晶體管裝置的方法是由劉銘棋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本集成芯片及形成晶體管裝置的方法在說(shuō)明書摘要公布了：在一些實(shí)施例中，本公開(kāi)涉及一種包括柵極介電層、柵極電極、場(chǎng)板介電層及場(chǎng)板的集成芯片。柵極介電層配置在襯底之上及源極區(qū)與漏極區(qū)之間。柵極電極配置在柵極介電層之上。場(chǎng)板介電層配置在襯底之上及柵極介電層與漏極區(qū)之間。場(chǎng)板配置在場(chǎng)板介電層之上且與柵極介電層間隔開(kāi)。

本發(fā)明授權(quán)集成芯片及形成晶體管裝置的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成芯片，包括： 柵極介電層，配置在襯底之上以及源極區(qū)與漏極區(qū)之間； 柵極電極，配置在所述柵極介電層之上； 場(chǎng)板介電層，配置在所述襯底之上以及所述柵極介電層與所述漏極區(qū)之間； 場(chǎng)板，配置在所述場(chǎng)板介電層之上； 間隔件結(jié)構(gòu)，環(huán)繞所述場(chǎng)板的外側(cè)壁且直接配置在所述場(chǎng)板介電層之上，且與所述柵極電極間隔開(kāi)；以及 介電間隔件層，環(huán)繞所述柵極電極、所述場(chǎng)板與所述間隔件結(jié)構(gòu)，且與所述柵極電極以及所述間隔件結(jié)構(gòu)接觸， 其中所述間隔件結(jié)構(gòu)將所述介電間隔件層與所述場(chǎng)板間隔開(kāi)， 且所述場(chǎng)板介電層與所述柵極介電層間隔開(kāi)，且所述場(chǎng)板具有配置在所述襯底的最頂表面上方第一高度處的最頂表面，所述柵極電極具有配置在所述襯底的所述最頂表面上方第二高度處的最頂表面，且其中所述第一高度等于所述第二高度， 且所述場(chǎng)板具有配置在所述襯底的所述最頂表面上方第三高度處的最下表面，所述柵極電極具有配置在所述襯底的所述最頂表面上方第四高度處的最下表面，且其中所述第三高度高于所述第四高度。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。