株式會社日立高新技術今村伸獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社日立高新技術申請的專利閃爍器、測量裝置、質量分析裝置以及電子顯微鏡獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114787959B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080085111.0，技術領域涉及：H01J49/02；該發明授權閃爍器、測量裝置、質量分析裝置以及電子顯微鏡是由今村伸;楠敏明;高橋惠理;關口好文;神田隆之設計研發完成，并于2020-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本閃爍器、測量裝置、質量分析裝置以及電子顯微鏡在說明書摘要公布了：提供使發光強度提升的閃爍器等。閃爍器S具備：藍寶石基板6；GaN層4，其相對于藍寶石基板6設于入射側，包含GaN；量子阱構造3，其相對于GaN層4設于入射側；導電層2，其相對于量子阱構造3設于入射側，在量子阱構造3中，將包含InGaN的多個發光層21和包含GaN的多個阻擋層22交替層疊，在量子阱構造3與導電層2之間設有包含氧的含氧層23。
本發明授權閃爍器、測量裝置、質量分析裝置以及電子顯微鏡在權利要求書中公布了：1.一種閃爍器，其特征在于，具備： 基板； GaN層，其相對于所述基板設于入射側，包含GaN； 量子阱構造，其相對于所述GaN層設于入射側；和 導電層，其相對于所述量子阱構造設于入射側， 在所述量子阱構造中，將包含InGaN的多個發光層和包含GaN的多個阻擋層交替層疊， 在所述量子阱構造與導電層之間設有包含氧的含氧層， 所述導電層與所述量子阱構造之間的界面電阻是10-1～10-5Ωcm2的范圍內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社日立高新技術，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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